Eletrônica Analógica: Transistor J-FET
1173 palavras
5 páginas
ETEC “GETÚLIO VARGAS”CENTRO ESTADUAL DE EDUCAÇÃO TECNOLÓGICA PAULA SOUZA
João Paulo de Oliveira Ramos
José Josivan
Marcelo Benício da Silva
Wagner Herculano Pinto
Washington
Relatório Técnico-Científico sobre AMPLIFICADORES COM TRANSISTORES J-FET TIPO N
São Paulo, 2013
João Paulo de Oliveira Ramos
José Josivan
Marcelo Benício da Silva
Wagner Herculano Pinto
Washington
Relatório Técnico-Científico sobre o AMPLIFICADORES COM TRANSISTORES J-FET TIPO N
Relatório técnico apresentado como requisito parcial para obtenção de aprovação na disciplina eletrônica analógica, no Curso de Técnico em Eletrônica – Módulo III, na ETEC – Getúlio Vargas – Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.
Prof. César Augusto.
São Paulo, 2013
Objetivos
1.1 Averiguar o ganho de tensão para as diferentes condições de polarização do JFET canal N;
1.2 Verificar a influencia do capacitor em paralelo ao terminal da Fonte no ganho de tensão.
Materiais
(01) Matriz de contatos (Proto-Board);
(01) Multímetro digital;
(01) Osciloscópio de duplo traço;
(01) Fonte de Tensão DC Variável;
Cabos de conexão;
(01) FET: BF245A;
(03) Capacitores: 47 μF/≥40 V;
(01) Potenciômetro: 10 kΩ;
Resistores (≥ 0,5 W): (01) 2,2 MΩ, (01) 470 kΩ, (01) 12 kΩ, (01) 2k2 Ω e (02) 3k3 Ω.
Introdução Teórica
O transistor de efeito de campo, J-FET (em inglês: junction gate field-effect transistor) usa materiais portadores de carga colocados em contato direto com seu canal para que se possa controlar a passagem de corrente elétrica. Esses materiais podem ser do tipo P (dopado positivamente) ou do tipo N (dopado negativamente) dependendo da dopagem de seu canal, pois eles sempre serão o opostos. Com esses materiais colocados em contato direto com o canal, cria-se uma zona de depleção que é influenciada pelas tensões injetadas no Gate,