Laboratório de Eletrônica 2

Universidade Federal de Itajubá
Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informação

Atividade de Laboratório 1

Eduardo dos Santos Barretto - 15805
Felipe Cardoso Bellato - 21437
Rafael Guimarães de Paula - 21156

ECO016 - Laboratório de Circuitos Integrados Digitais
Prof. Leonardo B. Zoccal
Itajubá, 17 de Setembro de 2013

Introdução
O transistor MOSFET (Transistor de efeito de campo metal oxido semicondutor) é o dispositivo mais comum e, portanto, o mais utilizado, tanto em circuitos digitais como analógicos. Ele possui três terminais e possui como vantagem, se comparado a outros, o fato de ser produzido em dimensão muito pequena, o que diminui o tamanho dos chips em que serão empregados, além de ter um processo de fabricação relativamente simples. Pouca potência é necessária para a sua operação, e ainda pode-se implementar funções lógicas utilizando esses tipos de transistores.
Um MOSFET possui um canal de material semicondutor de tipo N ou P e é chamado, respectivamente, de NMOSFET ou PMOSFET. O semicondutor mais utilizado é o silício, mas alguns fabricantes começaram a usar uma mistura de silício e germânio (SiGe) nos canais dos
MOSFETs.

Figura 1 - Estrutura de um MOSFET.
O transistor usualmente é representado pelos seguintes desenhos esquemáticos:

Figura 2 - Tipos de representação de um transistor.
Sua operação pode ser dividida em três tipos, dependendo das tensões que são aplicadas a seus terminais:
 Região de Corte: Vgs < Vth (Vth = Tensão de threshold)
O transistor permanece desligado e não há condução entre o dreno e a fonte.
Região de Triodo (região linear): Vgs > Vth e Vds < Vgs – Vth
O transistor é ligado, criando um canal que permite o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. Ele opera como um resistor, controlado pela tensão aplicada no gate. A fórmula da corrente do dreno para a fonte é:


=

(2(

2

−

)

−

)

Região de Saturação: Vgs > Vth e Vds > Vgs – Vth
O transistor