ESTUDO PRELIMINAR DA APLICAÇÃO DA TÉCNICA DE LUMINESCÊNCIA OPTICAMENTE ESTIMULADA EMPREGANDO DOSÍMETROS DE LiF:Mg,Ti PARA DOSIMETRIA DA RADIAÇÃO BETA

1734 palavras 7 páginas
ESTUDO PRELIMINAR DA APLICAÇÃO DA TÉCNICA DE
LUMINESCÊNCIA OPTICAMENTE ESTIMULADA EMPREGANDO
DOSÍMETROS DE LiF:Mg,Ti PARA DOSIMETRIA DA RADIAÇÃO
BETA
Preliminary Study of the application of the Optically Stimulated Luminescence
(OSL) technique using LiF:Mg,Ti dosimeters for beta radiation dosimetry
Luciana C. Matsushima1*, Glauco R. Veneziani1, Letícia L. Campos1
1
Gerência de Metrologia das Radiações – Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares
(IPEN-CNEN/SP
Av. Prof. Lineu Prestes, 2242, Cidade Universitária, CEP: 05508-000, São Paulo, SP, Brasil.
* Autor correspondente: lmatsushima@ipen.br
Resumo
Na área radiodiagnóstica a técnica de
Luminescência opticamente estimulada (“Optically stimulated luminescence” - OSL) vem sendo utilizada com sucesso em sistemas de imagens médicas. A alta sensibilidade permite que o tamanho dos dosímetros seja pequeno, o que os confere a propriedade de alta resolução espacial, possibilitando o potencial para a medida de dose em regiões de gradientes severos de dose. Esse trabalho tem como objetivo o estudo preliminar da aplicação da técnica de OSL utilizando dosímetros de fluoreto de lítio dopado com magnésio e titânio
(LiF:Mg,Ti, produzidos pela Harshaw Chemical
Company) para aplicação em dosimetria beta.

Abstract
In radiodiagnosis OSL has been used with great success in imaging systems. The high sensitivity means that the dosimeters can be very small, which gives them the property of high spatial resolution, meaning that they have the potential for measurement of dose in regions of severe dose gradients. This work aims to study the application of OSL technique using dosimeters of lithium fluoride doped with magnesium and titanium
(LiF:Mg,Ti, produced by Harshaw Chemical
Company) for application in beta dosimetry.

1. Introdução
A técnica de Luminescência opticamente estimulada (OSL) é a luminescência transiente observada durante a iluminação de isolantes cristalinos ou semicondutores

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