diodos especiais

Diodos Especiais

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Diodos Especiais

Diodos comerciais

Alguns valores comerciais
1N4001 50V 1A

1N4002 100V 1A

1N4003 200V 1A

1N4004 400V 1A

1N4005 600V 1A

1N4006 800V 1A

1N4007 1000V 1A

1N4008 12V 0.1A

1N4009 35V 0.1A

1N4011 1000V 0.5A

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Diodos Especiais

Diodo PIN
A região I tem baixa condutividade(alta resistência). Masvir a se tornar uma região de elevada condutividade sob polarização direta. Em polarização reversa praticamente não conduz, oferecendo uma alta tensão de ruptura, da ordem de centenas de volts atuando como um capacitor.
Em polarização direta comporta-se como uma resistência variável de baixo valor.

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Diodos Especiais

Age como resistor controlado pela corrente, atua como limitador em circuitos ou como atenuador em microondas.

Dispositivos GUNN
Consiste de um cristal homogêneo de arsenieto de gálio sem a junção PN, não sendo polarizado como os demais diodos devido a ausência da junção.
Basicamente é formado por uma região N, sobre uma base cristalina. O efeito GUNN foi apresentado em 1964 e refere-se a circulação de zonas de campo elétrico de valor elevado, chamados de domínios, que se movimentam através do cristal, quando o dispositivo é convenientemente polarizado.
Os domínios são agrupamentos de elétrons entre ânodo e cátodo, resultando num ciclo de pulsos de corrente de transição, determinado pela Iargura da camada N. O valor da tensão aplicada, também tem influência no ciclo de domínios. O dispositivo é utilizado na geração de oscilações em torno de
40GHz.
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Diodos Especiais

IMPATT (Impact Avalanche and
Transit Time)
Trabalhando em freqüências da ordem de 300GHz, tem um desempenho superior aos dispositivos GUNN, porém com tensões elevadas, da ordem de uma centena de volts.
A tensão aplicada de modo reverso faz com que o diodo trabalhe na ruptura, resultando numa corrente de avalanche. São dispositivos de quatro camadas, sendo uma
P e outra