bloco
1210 palavras
5 páginas
Copyright © The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
o r P
r i d n a w f.
• A Figura 13-1 mostra uma pastilha de semicondutor tipo n. nte (source),
(sou
• O terminal inferior é chamado de fonte e o superior é chamado de dreno (drain).
• A tensão de alimentação VDD força forç os elétrons livres a circularem da fonte para o dreno.
• Para fabricar um JFET,
ET, um fabricante difunde duas áreas de semicondutor sem tipo p em um micondutor tipo n como mostra a Figura. Estas semicondutor iões p estão conectadas internamente para regiões u único terminal externo simples chamado obter um de porta (gate)
Copyright © The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
ro
r i d n a w f.
JFETs
Fonte
(Source)
p
VDD
G
G
Copyright © The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
P
Figura 13-2
Copyright © The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
Figura 13-1 - Dispositivo controlado por tensão. A tensão na porta controla a corrente de dreno
VGG
Porta p (Gate)
n
Dreno
S
D
S
D
r i d n a w . f o r P
Transistor de Efeito de Campo de Junção
(Junction field effect transistor) - JFET
Copyright © The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
P
o r P
Copyright © The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
Copyright © The McGraw-Hill Companies, Inc. Permission required for reproduction or display.
o r P
r i d n a w f.
Polarização Reversa da Porta
• Na Figura 13-2, a porta tipo p e a fonte tipo n formam o diodo porta-fonte. Com o m um JFET,
JF
diodo porta-fonte fica sempre mpre com polarização po reversa.
• Em virtude da ppolarização reversa, a corrente de rização rev