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Passo 1

1 Teoria dos Diodos;

O diodo semicondutor é formado juntando-se um bloco de material tipo P com um bloco de material tipo N – Junção PN

Diodo não polarizado – No momento da junção haverá uma corrente de difusão, criando uma região de íons negativos e positivos não combinados chamado de Região de Depleção e a distribuição da carga nessa área é chamado de Carga Espacial.

A largura da região de depleção dependente dos níveis de dopagem dos materiais P e N.

O Campo elétrico que aparece na região de depleção devido aos íons positivos e negativos é chamada de Barreira de potencial.

À temperatura de 25o C, a barreira de potencial é aproximadamente 0,3 V para o Ge e 0,7 V para o Si.

Formação da Junção PN – A= átomos aceitadores; h = lacunas associadas; D = átomos doadores; e = elétrons associados; + = íons positivos e - = íons negativos.

SIMBOLOGIA

O lado P da junção PN é conhecido como anodo (A) do diodo e o lado N como catodo (K).

POLARIZAÇÃO DIRETA E REVERSA DAS JUNÇÕES

Uma junção PN polarizada diretamente, os elétrons livres do lado N são atraídos pelo pólo positivo da fonte externa e as lacunas são forçadas a entrar na região P. Elétrons difundem-se pela região de depleção e recombinam-se com as lacunas do material P. A região de depleção estreita-se com a polarização direta. A tensão direta aplicada tem que ser maior do que a diferença de potencial que aparece na junção, que para o semicondutor de silício, está compreendida ente 0,5 e 0,8 V (valor normalmente utilizado 0,7 V)

Uma junção PN polarizada reversamente a fonte de tensão está invertida aumentando a barreira de potencial na junção.
Nesse tipo de polarização, o pólo positivo atrairá os elétrons e o pólo negativo as lacunas, aumentando assim a barreira de potencial, não havendo, portanto condução de corrente elétrica devido aos portadores majoritários, existindo apenas uma corrente