Analogia 2 jfet

Transistor de Efeito de Campo (JFET)

Objetivo
Testar ohmicamente o transistor JFET e determinar as correntes e tensões no seguinte circuito.
Materiais
Resistores
Transistor JFET
Multímetro
Fonte de Tensão Ajustável
Parte Prática
1- Desenhamos a estrutura de um JFET, canal n.

2-Esboçamos a curva característica do dispositivo acima.

Testando Ohmicamente
Medimos a resistência entre os terminais do JFET.

Direta
Reversa
G-S
1,2 MΩ
---
G-D
1,2 MΩ
---
S-D
0,9 MΩ
0,9 MΩ

Montagem

a) Aplicamos Vgg=0V e variamos Vdd de forma que consigamos os valores das correntes a seguir.
Id(mA)
0,5
1
1,5
2
3
4
5
Vds(V)
0,04
0,11
0,18
0,24
0,37
0,52
0,69

b) Aplicamos Vgg=2V e medimos Vgs e Vds:
Vdd=0V Vgs=1,86V Vds=0V

c) Aplicamos Vgg=3V e medimos Vgs e Vds:
Vdd=0V Vgs=2,72V Vds=0V

d) Variamos Vgg até atingir o ponto de estrangulamento do canal.
Vdd= 5V Vp= -5V

e) Desenhamos a curva IdxVds.

Verificamos as características dos transistores JFET e MOSFET. Comparando com os transistores BJT que estudamos até aqui, os FET’s apresentam:
1. Alta impedância de entrada, bem mais alta que os TBJ
2. As correntes de entrada são muito mais baixas que os TBJ
3. O ganho é bem menor que um TBJ
Os JFET’s são usados nos casos em que um TBJ não funciona de forma conveniente, como quando a corrente de fuga para a base de um TBJ é muito alta.
Para aplicações de lógica digital, o uso de FET’s é importante, já que eles podem ser muito mais rápidos e dissipam menos potência. A maioria dessas aplicações, contudo, usa MOSFET’s, que possuem impedâncias de entrada ainda maiores que os JFET’s.