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Caracterização dos Nanomateriais

A evolução da nanoeletrônica se dará basicamente segundo duas vertentes.
A primeira consiste em continuar a evolução da integração de dispositivos, com a utilização de novos materiais. Nessa vertente, destacam-se duas classes de materiais: (i) FETs fabricados com nanotubos de carbono e nanofios e heteroestruturas de nanofios. Em tal categoria também são incluídos dispositivos a base de grafeno; (ii) MOSFETs com nanocamadas de Ge e semicondutores do tipo III-V.
Em uma segunda etapa, serão necessários dispositivos inovadores que explorem outras características além da carga do elétron. Para tanto, será necessário um intenso trabalho de pesquisa para adaptar as técnicas de fabricação desses dispositivos à escala de fabricação atual de estruturas
C-MOS. As principais abordagens emergentes nessa categoria são: dispositivos de um elétron SETs; dispositivos moleculares; dispositivos ferromagnéticos lógicos e dispositivos spintrônicos.
O mapa tecnológico do desenvolvimento de nanoeletrônica no mundo indica que as aplicações top-down e bottom-up referentes a nanodispositivos
(T2c1) e os dispositivos spintrônicos para memória (T2d2) já se encontram em fase de comercialização em larga escala. Por outro lado, situam-se em estágio de P&D no mundo os dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos com incorporação de nanomateriais (T2a1), os nanodispositivos baseados em tecnologias integradas top-down e bottom-up
(T2c3), bem como spintrônica, nanotubos e grafeno (T1d1).
No estágio de inovação, encontram-se os seguintes tópicos: células solares com nanocompósitos e displays OLEDs com nano (T2a3); vacuum microelectronics com nanotubos (T2a2); NEMS e atuadores (T2b) e nanodispositivos baseados em tecnologias roll-to-roll (T2c2). Essas informações permitirão comparar as trajetórias dos tópicos estudados no Brasil às trajetórias mundiais.
O mapa tecnológico do Brasil indica que o país se encontra no estágio de inovação em