Transistor Mosfet

................................................................................................ 5 1.1.2.c. BJT Bipolar Junction Transistor .............................................................................. 6 1.1.2.d. MOSFETS Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors ........................... 7 1.1.2.e. IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor.................................................................. 7 GTO – Gate Turn-off Thyristor ...............................

JFET ELETRÔNICA DIGITAL 24/03/2015 JFET Neste trabalho, o JFET será apresentado. Possui 3 terminais e muito utilizado para substituir o TBJ (Transistor Bipolar de Junção). fonte: http://www.electronicshub.org/field-effect-transistor-fet/ Dentre várias características, podemos citar: alta taxa de impedância na entrada, são unipolares porque necessitam apenas de um tipo de carga, baixa sensibilidade à temperatura,não se pode controlar a corrente de saída, tem baixo

MOSFET Grupo: Marco Alexandre Marcos Vinicius Pedro Paulo Ronan Marques Wellington Tonini Introdução  Inventado nos Laboratórios da Bell Telephone em 1947  Componente eletrônico utilizado para amplificar um sinal e controlar a passagem de corrente elétrica.  Existem o transistores bipolares e os transistores de efeito de campo  Transistores bipolares (TBJ): amplificadores de corrente Corrente de coletor em função da corrente de base  Transistores de efeito de campo…

IGBT O nome IGBT, é uma sigla de origem na Língua Inglesa e significa Insulated Gate Bipolar Transistor ou, em Português Transistor Bipolar de Porta Isolada. O IGBT é um semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância dos MOSFET's apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Atualmente é muito utilizado em equipamentos modernos…

(Light emission diode) Fotodiodo Diodo Tunel Diodo Schottky Transistor BJT Transistor BJT Transistor JFET Transistor JFET Transistor MOSFET DEPLEÇÃO Transistor MOSFET DEPLEÇÃO SIMBOLO Transistor MOSFET CRESCIMENTO Transistor MOSFET CRESCIMENTO Transistor MOSFET DUPLA PORTA Retificador Controlado de Silício (SCR) (TIRISTOR) TRIAC DIAC Transistor Uni-junção (UJT) Transistor Uni-junção Programável (PUT) Comutador…

enregia elétrica HVDC ( High-Voltage Direct-Current ). Os componentes semicondutores utilizados em eletrônica de potência, podem ser divididos em cinco tipos : 1- Diodos de potência; 2- Tiristores; 3- Transistor bipolar de potência - BJT; 4- Transistor Mosfet de potência - MOSFET; 5- Transistor bipolar com gate isolado - IGBT. Dentro da família dos Tiristores existem uma infinidade de componentes que podem ser utilizados em Eletrônica de potência, como : - SCR : Silicon…

Estáticos de Potência Professor: Igor Amariz Pires Aluno: Glauton Eduardo Vieira Data: 10/02/2014 Um Breve Estudo Sobre Diodo de Potência, TIRISTOR, MOSFET e IGBT. RESUMO Este texto apresenta um breve estudo sobre alguns dos principais componentes utilizados em circuitos de Eletrônica de Potência: Diodo de Potência, TIRISTOR, MOSFET e IGBT. Seu objetivo é introduzir conceitos fundamentais necessários à disciplina “ELT 066 – Controle de Conversores Estáticos de Potência”…

• Transistores de Efeito de Campo (FETS) Como no caso do TBJ, a tensão entre dois terminais do FET (field-effect transistor) controla a corrent e que circula pelo terceiro terminal. Correspondentemente o FET pode s er usado tanto como amplificador quanto como uma ch ave. O nome do dispositivo origina-se de seu pricípio de operação. O controle é baseado no campo elétrico estabelecid o pela tensão aplicada no terminal de controle. O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide…

2ª PARTE DIAC/ JFET/ GTO/ MOSFET O DIAC A estrutura está representada na Fig.a. É semelhante à de um transístor bipolar sem terminal de base. No entanto as duas zonas de tipo p têm concentrações de impurezas de substituição iguais, sendo o comportamento simétrico. Além disso, como em qualquer tiristor a base é longa e tem baixa condutividade. A Fig.b. representa a característica estacionária tensão-corrente de um DIAC. Não existe descontinuidade entre as zonas I e II, apresentando o

procTransistores Bipolares[editar | editar código-fonte] Transistores Bipolares de porta isolada (IGBTs) O transistor bipolar4 de porta isolada (IGBT) destaca-se pelas características de baixa queda de tensão no estado ligado do Transistor Bipolar de Junção (BJT) com as excelentes características de chaveamento, que traz um circuito de acionamento da porta bem simplificado e com alta impedância de entrada do mosfet. Existem no mercado transistores IGBTs com os valores nominais de…