Transistor Bipolar De Junção

TECNOLÓGICA cEFET – MG – CAMPUS ITABIRITO CURSO DE INFORMÁTICA IMDUSTRIAL INTEGRADO 1° ANO Eduarda Gurgel Jeanine Michelle Nicole Tassar Transistor Trabalho apresentado à disciplina de Acionamento de Circuitos Elétricos coordenado pelo professor Mayckel Mendes. ITABIRITO 2014 TRANSISTOR O Transistor foi inventado nos laboratórios da Beel Telephone em dezembro de 1947 por Bardeen e Brattain. Ele é um componente eletrônico utilizado…

DESENVOLVIDOS A BASE DE TRANSISTORES Manaus / Am 2012 DANIEL JHON ALVES – RA: B361AG-1 DANYELLE SILVA – RA: B29232-6 DIENISON VITOR – RA: B3224C-7 HUDSON ALMEIDA – RA: B45715-5 JOSÉ WESLEYSON – RA: B428DI-5 PAULO SÉRGIO RA: B25122-0 RAFAEL SILVA RA: B234JJ-8 ROBSON ALLAN – RA: B26FCB-1 RODRIGO DUARTE – RA: B35AED-0 HISTÓRICO E EVOLUÇÃO DA COMPUTAÇÃO SEGUNDA GERAÇÃO: COMPUTADORES DESENVOLVIDOS A BASE DE TRANSISTORES

Introdução O TRANSISTOR BIPOLAR O transístor bipolar foi criado no início dos anos 50 para substituir a válvula, que desenvolvia a mesma função do transístor, porém com um consumo de energia muito maior que o consumo deste novo componente. O transístor bipolar é um componente electrónico, de funcionamento não linear, construído a partir de material semicondutor dopado, assim como os diodos. Entretanto, o transístor possui três terminais (regiões) e, portanto, 2 junções. Seus terminais

MédiaFinal  0, 4  ( )  0,6  N 3 2 N1 = 1.a prova teórica N2 = 2.a prova teórica N3 = Trabalho prático Eletrônica de Potência A eletrônica de potência trata das aplicações de dispositivos semicondutores de potência, como tiristores e transistores, na conversão e no controle de energia elétrica em níveis altos de potência aplicados à indústria. • Eletrônica de Potência • Essa conversão é normalmente de AC para DC ou vice-versa, enquanto os parâmetros…

FICHA DE TRABALHO TRANSISTORES BIPOLARES Curso Técnico de Eletrónica Automação e Computadores 2º Ano ELETRICIDADE ELETRÓNICA MÓDULO Nº 6 TRANSISTORES BIPOLARES Ano Letivo: 2014/2015 Professor Fernanda Inês IMP.DP.021-01 1/16 FICHA DE TRABALHO TRANSISTORES BIPOLARES 1ª PARTE: Transístores bipolares: 1 – Introdução Com o passar dos anos, a indústria dos dispositivos semicondutores foi crescendo e desenvolvendo componentes e circuitos cada vez mais complexos, a base de diodos. Em 1948, na

desse serviço) para o cliente. Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados no fim da década de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories, por três cientistas: Dr. Wil-liam Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John Bardeen (à esquerda) e Dr. Walter H. Brat-tain (à direita). Figura 01: Co-inventores do transistor bipolar de junção PASSO 2 Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte. Os transistores bipolares utilizados no…

Departamento de Engenharia Electrotécnica (DEE) O transistor de junção bipolar (BJT) E n p n Colector C • Bipolar – dois tipos de cargas, electrões e buracos, envolvidos nos fluxos de corrente • Junção – duas junções pn. Junção base/emissor e junção base/colector Emissor B Base E C p n p Colector • Tipos – tipos NPN e PNP. • Terminais – Base, Emissor e Colector Emissor B • Símbolos - Base NPN Base Colector PNP Base Emissor Emissor …

Transistor de Junção Bipolar 1.1) Definição O transistor é um componente eletrônico que começou a popularizar-se na década de 1950, tendo sido o principal responsável pela revolução da eletrônica na década de 1960. São utilizados principalmente como amplificadores e interruptores de sinais elétricos. O termo provém de transfer resistor (resistor/resistência de transferência), como era conhecido pelos seus inventores. O transistor é um componente eletrônico Semicondutor de 3 regiões…

INTRODUÇÃO AOS TRANSISTORES DE POTÊNCIA Até 1970, os tiristores convencionais foram exclusivamente usados para o controle de potência em aplicações, desde então, vários tipos de dispositivos semicondutores de potência foram desenvolvidos. Estes dispositivos podem ser amplamente divididos em cinco tipos: os diodos de potência, os tiristores, os transistores bipolares de junção de potência, os MOSFET’s de potência, os SIT’s (Static Induction Transistor) e os IGBT’s (Insulated Gate…

Transistores de Potência (G2) transistores de potência apresentam características de chaveamento controlado. Os transistores, utilizados como elementos de chaveamento, operam na região de saturação, apresentando uma baixa queda de tensão de condução ( VCE ≈ 0 ). A velocidade de chaveamento dos transistores modernos é muito maior do que a dos tiristores, sendo largamente utilizados em conversores CC/CC e CC/CA, apresentando, internamente, um diodo conectado em anti-paralelo ( manter um caminho