Trabalho

Eletrônica I
Transistor de Efeito de Campo “Field Effect Transistor -FET”

O transistor de efeito de campo “Field Effect Transistor – FET” • O transistor de efeito de campo é um dispositivo de três terminais utilizado em várias aplicações que em muito se assemelham às funções do TBJ. • A principal diferença entre os dois tipos de transistores é o fato de o TBJ ser um dispositivo controlado por corrente, enquanto o FET é um dispositivo controlado por tensão.

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky Electronic Devices and Circuit Theory, 8e

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FET
• Assim como há TJB’s NPN e PNP, também há transistores FET de canal de n e canal p; • O termo bipolar do TJB indica que nesse tipo de transistor a condução é função de dois portadores de carga elétrons e lacunas. • O FET é um dispositivo unipolar que depende unicamente da condução de elétrons (canal n) ou lacunas (canal p). • Para o FET, é estabelecido um campo elétrico pelas cargas presentes que controlarão o caminho de condução do circuito de saída sem a necessidade de um contato entre as quantidades controladoras e controladas.

• O FET tem maior impedância de entrada, algo que varia de 1MΩ a centenas de Megaohms. • Em geral, os FETs sofrem menos os efeitos da temperatura do que os TJB’s; • Além disso, os JFETs são tipicamente bem menores que o TJB, isso o torna mais adequado para a fabricação de circuitos integrados; • As características de fabricação do FET podem torná-los mais sensíveis ao manuseio do que o TJB, podendo o mesmo ser danificado mais facilmente por cargas estáticas proveniente do contato com a mão do usuário.

• Os tipos de FET mais comuns são:
– O JFET – Junction FET (FET de junção); – O MOSFET: Metal Oxide Semiconductor FET (Transistor de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor);

• A categoria MOSFET é dividida em duas categorias
– MOSFET de depleção; – MOFET de Intensificação