Semi Condutores
1889 palavras
8 páginas
Curso EFA – Técnico de Instalações Eléctricas Nível SecundárioDatasheetCatalog.com
Utilizados na fabricação de :
Díodos , transistores , circuitos integrados , microprocessadores ..
1
ESMS - Aveiro
DOPAGEM – Material tipo P e N
Tipo P
2
ESMS - Aveiro
Tipo N
JUNÇÃO PN - DÍODO
Zona de Transição
Zona livre de cargas. Só tem iões fixos
P
ÂNODO(A)
-
ÂNODO (A)
ÂNODO (A)
3
ESMS - Aveiro
N
+
+
+
+
CÁTODO (K)
CÁTODO (K)
CÁTODO (K)
DÍODOS - Tipos
4
ESMS - Aveiro
POLARIZAÇÃO DIRECTA
P
+
Ânodo (A)
N
I
O Ânodo está com potencial positivo em relação ao cátodo.
A junção PN conduz a corrente eléctrica. + -
ESMS - Aveiro
Cátodo (K)
P
5
N
POLARIZAÇÃO INVERSA
-
P
N
-
-
Ânodo (A)
+ +
+ +
N
I
O Ânodo está com potencial negativo em relação ao cátodo.
A junção PN não conduz a corrente eléctrica. -
6
+ +
+
Cátodo (K)
P
ESMS - Aveiro
+ +
+
CURVA CARACTERÍSTICA U = f(I) id DÍODO REAL
Pontos críticos
IF
Tensão de ruptura
Corrente directa
VR iR Corrente de avalanche 7
ESMS - Aveiro
Tensão inversa
Vd
CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS
UR =
IF =
UF <
IR =
8
1000V
1A
1,1V
50 nA
ESMS - Aveiro
Tensão inversa máxima
Corrente directa máxima
Queda tensão directa
Corrente inversa
UR =
IF =
UF <
IR =
PDM
100V
200mA
1V
50 nA
=
500 mW
Tensão inversa máxima
Corrente directa máxima
Queda tensão directa
Corrente inversa
Potência dissipação máxima
PD= UF x IFM
CURVA CARACTERÍSTICA U = f(I)
9
ESMS - Aveiro
CURVAS CARACTERÍSTICAS (APROXIMAÇÃO1)
+
I
Polarização
Directa
UD = 0
Ideal
+
V
Polarização
Reversa
10
ESMS - Aveiro
I>0
-
I=0
CURVAS CARACTERÍSTICAS (APROXIMAÇÃO2)
I
+
I>0 diodo ideal
Uγ = 0.7V
V
11
ESMS - Aveiro
-
CURVAS CARACTERÍSTICAS (APROXIMAÇÃO3)
+
I