Electronica de Poptencia - MCT

Índice
Introdução 1
Objectivos 2
Geral: 2
Específicos: 2
Características e Circuito Equivalente de MCT 3
Ligação e Desligação de um MCT (Principio de Funcionamento) 4
Portas de Accionamento para MCTs 4
Protecção dos MCTs 5
Paralelismo de MCTs 5
Protecção de Sobrecorrente 5
MCTs de Geração 1 e Geração 2 5
Conclusão 7
Referências Bibliográficas 8
ANEXO 9

Introdução
A capacidade, eficiência e facilidade de controlo de conversores de energia dependem, principalmente, dos dispositivos de potência empregues. Os dispositivos de potência, em geral, pertencem a qualquer tipo, bipolar de junção ou efeito de campo e, cada um, tem suas vantagens e desvantagens. O rectificador controlado de silício (SCR), também conhecido como tiristor, é um dispositivo de potência popular que tem sido utilizado ao longo dos últimos anos. Ele tem uma densidade de corrente elevada e uma queda de tensão baixa, o que o torna adequado para utilização em sistemas de grandes potências. A incapacidade para desligar através da porta e a baixa velocidade de comutação são as principais limitações do um SCR. O tiristor de desligamento pela porta (GTO) foi proposto como uma alternativa para SCR. No entanto, a necessidade de aplicação de uma maior corrente na porta para o desligar limitou a sua aplicação.

O MOSFET tem algumas vantagens como a alta impedância de entrada, facilidade de controle, e velocidades de comutação mais elevadas mas, a baixa densidade de corrente e maior queda por condução limitam a aplicação do dispositivo para baixas tensões e baixas potências. Um esforço para combinar as vantagens das estruturas de junção bipolares e de efeito de campo resultou em dispositivos híbridos, tais como o transístor bipolar de porta isolada (IGBT), e o tiristor controlado MOS (MCT). Enquanto um IGBT é uma melhoria ao longo de um transístor de junção bipolar (BJT) usando um MOSFET para o ligar e desligar, um MCT é uma melhoria sobre um tiristor com um par de MOSFETs para o ligar e desligar. O MCT