Configuração darlington
ü Configuração Darlington
A principal função desta configuração é conseguir alta impedância de entrada e alto ganho de corrente. O arranjo desta configuração é conectar dois transistores do mesmo tipo de maneira que se o ganho de corrente de um transistor for β1 e o do outro for β2 então o ganho de corrente do arranjo será igual a βD = β1.β2 . A conecção Darlington atua como um novo dispositivo, cujo ganho de corrente é o produto dos ganhos individuais. A figura abaixo mostra esta configuração.
βD = IC / IB
IC
IB
Q1
IC
IB
β1
QD
β2
Q2
βD = β1.β2
Obs: 1) Esta configuração pode ser feita também com transistores PNP.
2) Como o transistor Q1 opera com baixas corrente, e comumente encontrado na prática um resistor entre a base e o emissor de Q2 , assim β 1 não é reduzido.
A figura abaixo fornece as especificações de data sheets para um par Darlington típico. Tipo 2N999 – Transistor Darlington NPN
Parâmetro
VBE hFE (βD)
Condições de teste
IC = 100mA
IC = 10mA
IC = 100mA
Mim.
4000
7000
Max.
1,8V
70.000
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Podemos representar esta conexão da mesma forma que fazemos para um transitor.Para isto, considere a figura abaixo e vamos determinar a sua impedância de entrada, a sua tranresistência (red = vbe /ic com vce = 0), o seu ganho de corrente AC (βd
= ic /ie com vce = 0) e sua impedância de saída (r0d ).
vce
ic
vce
Q1
ic
β d =? red=? r0d=?
C
ie
ie
QD r0d B
vbe
vbe
β dred
Q2
red
E
Utilizando o modelo do transistor para determinar inicialmente o ganho de corrente AC (βd ) e a transresistência do par . Então, vce = 0
ic = ie2 + ie1 - ic1
Q1
ie= ie1/β 1 r01 ic1
vbe
ie1/β 1
β 1re1
Q2
re1
ie1
r02
ie2/β 2
β 2re2
ie2 ie2/β 2 = (1+1/β 1). ie1 – ic1 ic1 = β 2re2 /(β 2re2+r01). (1+1/β 1). ie1
re2
ic2 = 0
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Da figura temos, a corrente de entrada é dada por: ie= ie1/β1
(104)
A corrente