Transistores Especiais

CAPÍTULO 10
TRANSISTORES ESPECIAIS
INTRODUÇÃO
Os laboratórios das grandes fábricas de dispositivos semicondutores procuram continuamente melhorar as características e diminuir as limitações dos transistores utilizados e também descobrir novos tipos com características diferentes que permitam aplicações até então fora do campo dos transistores e, de maneira geral, dos semicondutores.
Foram estão criados numerosos tipos de transistores, muitos dos quais baseados no mesmo princípio de operação do transistor bipolar, mas, fabricados por meio de técnicas novas ou modificações das técnicas já conhecidas. Outros tipos de transistores baseiam-se em princípios diferentes do transistor bipolar. São esses tipos que estudaremos a seguir.

da barra, é aplicada uma camada de silício do tipo oposto ao do material do canal (tipo N ou
P). Neste material é feito contato ôhmico, formando a porta ou gatilho (gate).
A figura 10-2 ilustra a constituição física dos transistores TECJ com canais tipo N e P e os respectivos símbolos. Conforme o material do canal seja do tipo N ou P, a seta aponta respectivamente, para dentro ou para fora do transistor. No TEC canal P, por exemplo, a seta é dirigida para fora do transistor. Com efeito, se o material do canal é do tipo N, o gatilho é formado de material tipo P e, portanto, a seta aponta para dentro.
NOTA: Usaremos indistintamente as seguintes nomenclaturas: porta ou gatilho (P de porta ou
G de gatilho); fonte ou supridouro (S de source ou de supridouro).

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO
O transistor de efeito de campo, conhecido como TEC ou FET (Field Effect
Transistor), apresenta características elétricas bastante interessantes que permitem sua utilização numa gama muito grande de aplicações práticas.
A diferença fundamental entre os transistores de efeito de campo e os de junção convencionais é que nos primeiros, a corrente é dada pelo fluxo de portadores de um só tipo. Por este motivo,