Transistores de Potência

Transistores de Potência (G2) transistores de potência apresentam características de chaveamento controlado. Os transistores, utilizados como elementos de chaveamento, operam na região de saturação, apresentando uma baixa queda de tensão de condução ( VCE ≈ 0 ).
A velocidade de chaveamento dos transistores modernos é muito maior do que a dos tiristores, sendo largamente utilizados em conversores CC/CC e CC/CA, apresentando, internamente, um diodo conectado em anti-paralelo ( manter um caminho para a corrente ).
Entretanto, as especificações de tensão e corrente ainda são menores que a dos tiristores, sendo então aplicados em baixa e média potência. Os transistores de potência podem ser divididos em :Os transistores de potência podem ser divididos em:
1.Transistores Bipolares de Junção (BJTs);
2.Transistores de Efeito de Campo de Óxido Metálico Semicondutor (MOSFETs);
3.Transistor de Indução Estática (STIs);
4.Transistores Bipolares de Porta Isolada (IGBT).
Estes transistores são considerados como chaves ideais em técnicas de conversão de potência. O chaveamento de um transistor é mais simples que o chaveamento de um tiristor por comutação forçada. Entretanto, a escolha entre um transistor bipolar e um MOSFET em um circuito de conversão não é óbvia, mas qualquer um deles pode substituir o tiristor, contanto que suas especificações de tensão e corrente satisfaçam as condições impostas pelo conversor.
Na prática, os transistores apresentam certas limitações e são restritos a algumas aplicações. As características e a avaliação de cada tipo deverá ser examinada para determinar o componente mais adequado para uma aplicação particular.
Transistor Bipolar Junção
O transistor bipolar é formado pela adição de uma segunda região p ou n em uma junção pn. Pode-se obter assim, um transistor NPN ou PNP. O transistor apresenta três terminais :coletor (C), base (B) e emissor (E); e duas junções : coletor-base (CB) e base-emissor (BE).

Funcionamento
Existem