Trabalho de eletronica

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Caracterização da Variação de Parâmetros de
Diodos e Transistores em Função da
Temperatura
Daniel Álvaro Dutra, Igor Barros Mayrinck, Marcos Eduardo Costa Jr., Robinson Percy Holder,
Rodrigo da Silva Conhalato, Sandro Elisson da Silveira
Trabalho da Disciplina Teoria de Materiais, 1o Semestre de 2000, Prof. Jaime Arturo Ramírez

Abstract—These report shows the influence of the temperature in semicondutor devices, as transistors and diodes.
It is also shows experimental values for these devices as temperature is increased.

I. INTRODUÇÃO temperatura é uma variável de extrema importância a ser considerada no projeto ou análise de circuitos eletrônicos. Direta ou indiretamente ela afeta todas as características de um dispositivo semicondutor, como seu desempenho e confiabilidade. Para entendermos a influência da temperatura nesses materiais, daremos um tratamento microscópico. Como o diodo e o transistor são construídos a partir de materiais semicondutores que sofrem influência da temperatura, eles também terão alterações nas suas propriedades. Um semicondutor é um material que possui um nível de condutividade em algum ponto entre os extremos de um isolante (baixa condutividade) e um condutor (alta condutividade). Atualmente existem vários materiais semicondutores, mas o germânio e o silício são os dois materiais que têm recebido a maior parcela de interesse no desenvolvimento de dispositivos a semicondutor. Nos últimos anos as pesquisas têm-se intensificado cada vez mais em relação ao silício e diminuído em relação ao germânio, embora ainda haja uma pequena produção de germânio. Há várias razões para se terem escolhido esses materiais, sendo que uma delas é que podemos obtê-los com níveis de pureza muito altos. Além disso, os átomos desses materiais formam um modelo muito definido, que se repete por natureza. A partir desses materiais, com a inserção de impurezas
(conhecido como processo de dopagem), obtemos junções do tipo n e p. As junções do tipo n são obtidas