Tiristores
1410 palavras
6 páginas
28/2/2012MEC – SETEC
Serviço Público Federal
Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia do Pará – IFPA
Transistores de Potência
Prof. Wellington A. dos S. Fonseca, Eng. Msc.
Introdução
• Um transistor é um dispositivo semicondutor PNP ou NPN de três camadas com duas junções.
• Os transistores, por outro lado, têm três terminais.
– Dois terminais atuam como contatos de uma chave
– O terceiro é usado para ligar e desligar a chave
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28/2/2012
Introdução
• Tem dois tipos de aplicação:
– Amplificação
– Chaveamento (Eletrônica de Potência)
• São empregados principalmente em Choppers e Inversores.
• Os dois tipos de transistores mais usados são:
– Transistor Bipolar de Junção (TBJ ou BJT)
– Transistor de efeito de campo metal‐óxido‐semicondutor (MOSFET)
Introdução
• As principais características do BJT são:
•
É controlado por corrente
•
Valores altos de corrente de base no estado ligado
•
Valores mais altos para passar do estado desligado
•
Necessitam de sistemas de controle mais complexos e, portanto, mais caros.
• As principais características do MOSFET são:
•
É controlado por tensão
•
Freqüência de h
F üê i d chaveamento maiores que a d BJT t i do •
Valores de tensão no estado ligado são maiores que a do BJT.
•
Em altas tensões o BJT é mais preferido do que o MOSFET.
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Introdução
• As limitações típicas dos BJTs e MOSFETs induziram a invenção do
IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada).
• As principais características do IGBT são:
•
Próprios para alta tensão;
•
Perdas baixas no estado ligado;
•
Circuitos acionadores simples (mais baratos); e
•
Velocidade de chaveamento relativamente altas.
Transistores Bipolares de Junção
• São de dois tipos:
•
NPN (maiores valores nominais de tensão e corrente)
•
PNP (no símbolo, a seta indica para a base)
• Controle de potência da fonte para a carga:
•
Os