Tecnologia

Fet – Transístor de efeito de campo

Os transístores bipolares e os transístores de efeito de campo (Fet) distinguem-se pela sua estrutura e teoria de funcionamento; há no entanto uma diferença que determina a sua utilização: O transístor bipolar é comandado por corrente, enquanto o Fet é comandado por tensão.

Tipos de Fet

|J-Fet |MOS-Fet |
|(Junction - Field Effect Transistor) |(Metal Oxide Semiconductor - Field Effect Transistor) |

J-Fet

O J-Fet canal N é constituído basicamente por uma junção PN, sendo ambos os extremos da região N dotada de terminais (Dreno e Fonte), formando a região P (Gate ou porta) um anel em volta da região N.
Se ligarmos uma bateria entre os terminais da região N circulará uma corrente limitada apenas pela resistência do material semicondutor. Porém, se polarizarmos inversamente a junção PN (Gate negativa em relação à Fonte), formar-se-á uma zona de deplecção em volta da junção PN. Devido a esse facto, ficará mais estreito o canal o que equivale a um aumento da resistência interna da região N.
Através da Gate podemos determinar o maior ou menor fluxo de corrente entre os terminais Fonte e Dreno. Fixando o valor da tensão dreno-fonte (VDS), a corrente de dreno (ID) será função da polarização inversa da Gate que variará a espessura do canal por variação da zona de deplecção.

Símbolos

D – Drain (Dreno) S – Source (Fonte) G – Gate (Porta)

Funcionamento

Para o Fet funcionar a Gate deve ser inversamente polarizada (no J-Fet canal N: Gate negativa em relação à Fonte, no J-Fet canal P: gate positiva em relação à Fonte),
O Dreno (D) é positivo em relação à Fonte (S). A corrente dreno-fonte (IDS) ou simplesmente corrente de dreno (ID) é inversamente proporcional à tensão gate-fonte (VGS), conhecida por tensão de gate (VG).