semicondutores de potencia

1793 palavras 8 páginas
INTRODUÇÃO
Com este trabalho, pretendemos aprofundar os conhecimentos relativos a semicondutores de potência, e às malhas de proteção. A revolução dos circuitos eletrónicos deve-se em grande parte aos semicondutores, por se tratar de dispositivos de reduzidas dimensões aliados a operações eficientes e confiáveis. Um semicondutor de potência pode ser divido em três grupos: Díodos, Tirístor e Interruptores Controláveis. A maior parte dos semicondutores de potência é usada como interruptor ou retificador. As malhas de proteção estão associadas aos circuitos SNUBBER, ou circuitos de proteção. Estes circuitos são frequentemente utlizados em sistemas elétricos com cargas indutivas, onde ocorrem interrupções brutas no circuito, que de acordo com a lei de Faraday, leva a um brusco aumento de tensão sobre o dipositivo de comutação. Esta rápida transição pode ser uma fonte de interferência eletromagnética para outros circuitos e os valores atingidos pela tensão podem destruir por completo o dispositivo de comutação. O circuito SNUBBER faz com a corrente siga por um caminho alternativo, de forma a “amaciar” a tensão existente no circuito.
DÍODOS
Um díodo ideal deve ter as seguintes características:
• Quando polarizado diretamente, a tensão entre os terminais de extremidade do díodo deve ser zero, qualquer que seja a corrente que flui através dele (estado-on);
• Quando polarizado indiretamente, qualquer que seja a tensão, a corrente deve ser zero (estado- off).
Quando projetamos um circuito com díodos, temos de ter em atenção quais as suas características, para que o díodo suporte a tensão inversa do circuito e deixe passar corrente quando polarizado diretamente. Outra característica que tem de se ter em atenção na escolha do díodo é a sua velocidade de comutação, ou seja, a passagem do estado-on ao estado-off. Um exemplo de um díodo com uma excelente velocidade de comutação, é o díodo de Schottky.
Na Figura seguinte mostra o símbolo do díodo e suas características de

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