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DRAM é um tipo de memória de acesso direto que armazena cada bit de dados em um condensador ou capacitor. O numero de elétrons que há no capacitor ou condensador determina se o bit é 1 ou 0. Acontece de ter fuga de elétrons e a informação acaba sendo perdida, mas esse processo pode não acontecer caso a carga seja atualizada. Ela é volátil, pois necessita de carga atualizada para manter as informações estáticas. A tecnologia da DRAM pode ser pensada como um arranjo de células, como uma tabela ou planilha. Estas células são feitas de capacitores e contém um ou mais bits de dados, a depender da configuração do chip. Esta tabela é endereçada através de decodificadores de linha e coluna, que por sua vez recebem seus sinais de geradores de clock, denominados geradores CAS (Column Address Strobe) e RAS (Row Address Strobe). De modo a minimizar o tamanho do pacote de dados, os endereços de linha e coluna são multiplexados em buffers. Leitura e escrita
EDO é uma evolução da memória FPM, onde ela utilizada para desenvolver algumas memórias de padrão SIMM. O diferencial dessa memória era poder escrever ou ler vários dados de uma linha sucessivamente. A memória EDO veio com um aumento de desempenho de 5%, praticamente idêntica, a diferença é que ela possibilita criar um novo ciclo dados antes que os dados de saída do anterior fossem enviados para outros componentes. Ela é volátil e é uma memória de leitura e escrita. A sua finalidade é que o controlador faz a leitura enviando o endereço RAS, como de costume, e depois enviando os 4 endereços CAS numa freqüência pré-definida, sem precisar esperar que o acesso anterior termine.
BEDO é ainda mais rápida que a EDO ou a FPM. Por exemplo, supondo quatro dados armazenados consecutivamente (quatro endereços consecutivos), o primeiro dado pode demorar vários pulsos de clock para ser lido (7 pulsos de clock, por exemplo), porém os dados seguintes serão lidos sempre com um pulso de clock. Por este motivo, é dito que este tipo de

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