Resumo JFET

Universidade Federal do Maranhão
Centro de Ciências Exatas e Tecnologia
Departamento de Engenharia Elétrica
Disciplina: Eletrônica I
Prof.: Nelson José Camelo

Resumo: Capítulos 6 e 9 Boylestad
Polarização do FET e Análise do FET para pequenos sinais

André Carlos Bezerra Sousa Junior
2008 03 0064

São Luís
-2013-

CAPÍTULO 6: POLARIZAÇÃO DO FET
1- Introdução:
Para transistores de junção bipolar (TJB) podemos obter os níveis de polarização para uma configuração com transistores de silício com o auxílio das equações características , e . A relação entre as variáveis de entrada e saída é representada por β, cujo valor é considerado fixo para a análise ser realizada. O fato de que β é uma constante estabelece uma relação linear entre e .
Para o transistor de efeito de campo ( FET, do inglês “Field Effect Transistor”) a relação entre os parâmetros de entrada e saída é não linear devido ao termo quadrático da equação de Shockley. Relações lineares, como a do TJB, resultam em retas quando são traçadas em um gráfico de uma variável versus a outra. Relações não lineares, como a do FET, resultam em curvas.
Outra diferença que existe entre as análises do TJB e do FET é que para o TJB a variável de controle é um valor de corrente, enquanto, para o FET, um valor de tensão controla os demais parâmetros do dispositivo.
As relações gerais que podem ser aplicadas à análise cc dos amplificadores a FET são:

Para o JFET e o MOSFET tipo depleção, a equação de Shockley relaciona as variáveis de entrada e saída:

Para o MOSFET tipo intensificação, a seguinte equação é aplicável:

É particularmente importante observar que as equações anteriores dependem apenas do dispositivo. Elas não mudam para qualquer configuração do circuito, uma vez que o dispositivo opera na região ativa.
2 – Configuração com polarização fixa:
A configuração da figura 01 mostra a o arranjo mais simples de polarização para o JFET e também