nada de mais

Njutn nnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnnn- nnnnnnnnnnnnnnnnnn mmmmmmA característica de transferência é um gráfico da corrente de dreno ID em função da tensão porta-fonte, VGS, para um valor constante da tensão dreno-fonte, VDS. A característica de transferência pode ser obtida diretamente a partir de medidas da operação do dispositivo ou desenhada a partir das características de dreno.
Parâmetros do MOSFET
Os fabricantes especificam vários parâmetros para descrever o dispositivo MOSFET e tornar possível a escolha entre várias unidades. Alguns dos parâmetros mais úteis especificados são:
• Cox – Capacitância do óxido
• Vt
- Tensão de corte (estrangulamento) porta-fonte. A tensão porta-fonte, abaixo da qual, a corrente no canal dreno-fonte é nula. Nos catálogos dos fabricantes, denotada por VGS(OFF) ou Vt
.
• gm - a transcondutância
O valor de gm diz quanto a corrente AC mudará quando se aplica uma tensão portafonte AC. gm é medido em Siemens (S). Normalmente também são fornecidos pelos fabricantes vários outros parâmetros relacionados com a capacitância do dispositivo, tensão de ruído, tempos para ligar e desligar e potência de operação.
O FET de Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET)
A estrutura básica e o símbolo dos MOSFETs de canal N e canal P tipo depleção são mostrados nas Figura 1a e 1b respectivamente. As Figuras 1c e 1d mostram a estrutura básica e o símbolo dos MOSFETs de canal N e canal P tipo acumulação. Fonte Porta Dreno
Substrato tipo P
N N
Óxido
isolante
Metal
N G
S
D
(a)
Fonte Porta Dreno
Substrato tipo N
N N
Óxido
isolante
Metal
P G
S
D
(b)
Fonte Porta Dreno
Substrato tipo P
N N
Óxido
isolante
Metal

G
S
D
(c)
Fonte Porta Dreno
Substrato tipo N
P P
Óxido
isolante
Metal

G
S
D
(d)
Figura 1 – Diagrama esquemático e símbolo do MOSFET: (a) tipo depleção canal N;
(b) tipo depleção canal P; (c)