mosfet

16/6/2010

IFBA

MOSFET

CELET – Coordenação do Curso Técnico em Eletrônica

Professor: Edvaldo Moraes Ruas, EE

Vitória da Conquista - 2009

MOSFET´s - introdução

Semicondutor FET de óxido metálico, ou Mosfet (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect);

É um transistor unipolar, pois depende somente de um tipo de carga, ou as lacunas ou os elétrons;
Ao contrário do JFET a porta é isolada do canal.

É um dispositivo sensível a tensão

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MOSFET´s – estrutura e símbolos

Tipo Depleção – normalmente ligado

Tipo Intensidade – normalmente desligado

Fonte porque os elétrons livres entram no dispositivo nesse ponto.

Dreno por onde os elétrons livres saem;

Substrato ou corpo (o quarto terminal);

Porta = gate - SiO2 = dióxido de silício = isolante (mesmo que vidro).

MOSFET-D – Tipo Depleção - Funcionamento

Modo de depleção

VDD força os elétrons livres a passarem pelo canal;

Quanto mais negativa a tensão da porta, menor a corrente do dreno;

Corrente da porta = de fuga, desprezível;

Deste modo o funcionamento do Mosfet é semelhante ao de um Jfet;

Modo de intensificação (crescimento)

Como a porta é isolada do canal, podemos aplicar uma tensão positiva à porta;

Que aumente o número de elétrons livres do canal;

Corrente da porta = de fuga, desprezível;

Resistência de entrada da ordem de 10.000 MΩ a 10.000.000 MΩ.

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MOSFET-D – Tipo Depleção - Curvas

Curva de Dreno

– Região de saturação;

– Região ativa;

Região de corte

– Região de ruptura.

Curva de Transcondutância

– A equação para qualquer JFET é:

– Ponto Q --- VGS = 0 e ID = IDSS;

MOSFET-D – Tipo Depleção - Polarização

Polarização zero;