Microinformática

Páginas: 5 (1248 palavras) Publicado: 8 de maio de 2014
Universidade Federal de Minas Gerais
Colégio Técnico

Micro informática Professor: Alberto
Alunos: Erica Andrade, Jheisson Danilo e Marco Túlio.
Prática No. 1

Transistores em comutação (saturação/corte)

Objetivos
●Observar o comportamento de um transistor bipolar (2N2222A) e de um MOSFET (CD4007) nas condições estáticas e dinâmica;
● Avaliar aqualidade da saturação quando, nos terminais de controle, são aplicadas correntes ou tensões que são capazes de levar estes transistores a condição de saturação;
● Avaliar o quão próximo de um curto-circuito estes transistores tornam-se pelos valores de VCE e VDS medidos conforme a tensão aplicada é variada.
● Avaliar os fatores que interferem na velocidade da comutação dos transistores bipolarese do MOSFET;
Introdução Teórica
Os transistores bipolares são capazes de controlar a corrente de um circuito.
As extremidades de um transistor bipolar são chamadas de emissor e coletor, já a central é chamada de base. O emissor é fortemente dopado, logo, é capaz de emitir elétrons. A base tem uma dopagem média e não consegue absorver todos os elétrons emitidos pelo emissor. Já o coletor temuma dopagem levíssima e é responsável pela coleta de elétrons vindos do emissor.
Abaixo, temos uma imagem que mostra os aspectos construtivos e os símbolos elétricos de transistores. Perceba que há dois tipos:

Figura 1: Transistores bipolares.
O primeiro transistor da figura é chamado NPN e o segundo PNP.
Entre os lados P e N existem barreiras de potencial.
O transistor MOSFET é o tipomais comum de transistores de efeito de campo. Ele é unipolar, uma vez que, ao contrário dos transistores bipolares, dependem somente de um tipo de carga: lacunas ou elétrons. Normalmente, possuem três terminais: Porta, Fonte e Dreno (Source, Gate and Drain). Existem dois tipos essenciais: o canal N e o canal P, que se diferenciam basicamente pela polarização. Abaixo temos uma imagem com osímbolo eletrônico e construtivo de um MOSFET.
Figura 2: MOSFET
Os MOFET’s são aplicados, geralmente em equipamentos eletrônicos para amplificar os sinais enviados pela unidade principal apara alimentar os alto-falantes, o que aumenta a potencia do som produzido.
Parte Experimental
Materiais e equipamentos utilizados
● Gerador de sinais;
● Osciloscópio;
● Um resistor de 4k7 Ω (amarelo, roxo,vermelho);
● Um resistor de 100 Ω (marrom, preto, marrom);
● Um resistor de 1k Ω (marrom, preto, vermelho);
● Um resistor de 10 k Ω (marrom, preto, laranja);
● Um resistor de 100 k Ω (marrom, preto, amarelo);
● Um transistor bipolar (2N2222A);
● Um MOSFET (CD4007);
● Um diodo (1N4148);
● Um capacitor;
● Um protoboard;
● Pequenos pedaços de fios;

Procedimentos e Métodos
Inicialmente,montamos o circuito para teste do transistor bipolar.
Ligamos a base do transistor (B) à fonte intermediada por um resistor de 4k7Ω. O coletor (C) do transistor foi ligado a uma carga e o emissor (E) ao terra (referencial). Então, conforme fomos variando a carga, medimos a tensão existente entre o coletor e o emissor (VCE). Esse procedimento foi realizado para avaliarmos o quanto próximo de umcurto circuito os transistores (bipolar e MOSFET) tornam-se, a medida que variávamos a corrente de saída, através dos valores de tensão (VCE e VDS). Os valores obtidos foram anotados na Tabela 1.
Figura 3: Circuito para teste do transistor bipolar.

Depois, montamos o mesmo circuito para teste do MOSFET.
Ligamos a porta (G) à fonte, o dreno (D) foi ligado a uma carga e a fonte (S) ligadaao terra. Então, medimos a tensão que havia entre o dreno e a fonte (VDS). Os dados obtidos também foram inseridos na Tabela 1.
Figura 4: Circuito para teste do MOSFET

Notas:●Utilizamos um gerador de sinais como fonte e o osciloscópio como voltímetro.
● Os dados obtidos serão apresentados em Análises e Resultados.

Tabela 1:
Rc/RD
100Ω
1kΩ
10kΩ
100kΩ
VDS




VCE...
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