Memorias semicondutoras

UNIVERSIDADE PRESBITERIANA MACKENZIE
ESCOLA DE ENGENHARIA
ENGENHARIA ELÉTRICA
CAIO AUGUSTO KULIK GAVIOLI

2º Trabalho de Sistemas Digitais I
São Paulo
2011
MEMÓRIAS SEMICONDUTORAS

Diagrama funcional geral:

Uma memória tem três barramentos (conjunto de linhas):

• Barramento de Endereço: É um barramento unidirecional que leva o endereço em binário que aparece na saída do processador, para os circuitos integrados de memória.

• Barramento de Dados: É um barramento bidirecional por onde trafegam dados, tanto no sentido do processador para os circuitos integrados de memória quanto no sentido inverso.

• Barramento de controle: É um barramento bidirecional por onde trafegam sinais de controle, principalmente no sentido do processador para os circuitos integrados de memória.

Barramento Simples:

Muitas unidades no barramento implicam em:
• Queda de desempenho
• O controle do uso compartilhado do barramento reduz o desempenho quando muitas unidades concorrem
• Distribuição do relógio
• As “longas” distâncias a serem percorridas pelo sinal de relógio produz atrasos de propagação

Barramento de Alto desempenho

Temporização
• Coordenação dos eventos que ocorrem no barramento – Protocolo doBarramento
• Barramentos Síncronos
• Eventos determinados pelo relógio do barramento
• Os ciclos do relógio sincronizam os eventos do barramento
• A sincronização normalmente acontecem nas transições do relógio ( 1 para 0 ou 0 para 1)
• Tempos críticos são definidos em função das transições do relógio

As linhas de endereços são direcionadas a dois decodificadores (linha e coluna). O cruzamento linha-coluna seleciona uma posição de memória, sendo que o número de posições é dado por 2n, onde n representa o número de linha de endereço.
Cada posição contém uma ou várias células de memórias, onde cada célula é responsável pelo armazenamento da informação de um bit.
Os decodificadores fazem, portanto, a seleção da posição de memória