Materiais elétricos

1147 palavras 5 páginas
Gabriel Bueno
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (JFET).
Introdução
Em dezembro de 1947, a indústria eletrônica estava prestes a experimentar um redirecionamento de interesse e desenvolvimento .Nesta data ,Walter Brattain e John Bardeen demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor nos laboratórios da empresa Bell Telephone, transistor original (um transistor de contato de ponto).As vantagens desse dispositivo de estado solido de três terminais em ralação a válvula eram obvias: era mais robusto e eficiente , pois absorvia menos potência ,estava pronto para uso sem a necessidade de um período de aquecimento e funciona em tensão de operação baixas. Este dispositivo e essencial para a fabricação de amplificadores operacionais, que tem três terminais .
O transistor é um dispositivo semicondutor que consiste em duas camadas de material do tipo N e uma camada do material tipo P, ou duas camadas do tipo P e uma camada do tipo N .O primeiro é denominado transistor npn e o segundo pnp .
O transistor de efeito de campo de junção , é talvez o transístor mais simples de todos. Tem algumas características importantes, nomeadamente uma resistência de entrada muito elevada. Contudo, como os MOSFET têm resistência de entrada ainda maior e apresentam muitas outras vantagens, a tecnologia MOS ganhou a primazia na implementação dos circuitos integrados em muito grande escala .Assim, apesar de se utilizar em algumas aplicações especiais, o JFET não é hoje um dispositivo muito significativo. Uma dessas aplicações envolve o uso de JFETs para realizar o andar de entrada de um AmpOp integrado em que o restante circuito é realizado com BJTs. A utilização do JFET no andar de entrada tira partido da sua elevada resistência de entrada, que é muito superior à que é possível com transístores bipolares. O JFET é também utilizado no projeto de circuitos discretos, quer como amplificador, quer como interruptor .
Principio de funcionamento.
Consideremos o JFET de

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