materiais elétricos

Páginas: 3 (525 palavras) Publicado: 28 de novembro de 2014
Responda verdadeiro ou Falso
a- Em semicondutores tipo N quando a temperatura se eleva a partir de 0° kelvin o nível de Ferni se desloca em direção ao centro da banda proibida? Verdadeiro

b-Quando a temperatura é suficientemente alta o material torna-se extrínseco? Falso

c- Quando a temperatura é próximo do zero absoluto o nível de Ferni se encontra na região central do intervaloentre os níveis do doador e o extremo inferior da banda de condução. Verdadeiro

d- Um material solido não tem portadores livres se comportando como isolante. Verdadeiro

e- Na polarização direta deum semicondutor para o mesmo estar ativado a tensão da fonte é menor que a tensão da barreira de potencial? Falso

f- A polarização reversa de uma junção p-n ocorre quando o potencial negativo dafonte esta ligado no lado N e o lado P no potencial positivo? Falso

g- Recombinação, a união de um elétron livre com a lacuna em um material intrínseco puro, cada elétron do tipo gerado faz apareceruma lacuna. Desta forma no mesmo tempo que temos elétrons ganhando energia e ficando livres temos vários elétrons livres se recombinando e ocupando espaço na lacuna deixando outro elétron. Verdadeiroh- Na junção N os portadores majoritários são os elétrons livres. Verdadeiro

i- Na junção P os portadores majoritários são os elétrons livre. Falso

j- Diodo zener é um dispositivo semicondutorutilizado para regular tensão. Verdadeiro

k- Em um diodo semicondutor normal quando polarizado reversamente tem-se uma corrente muito grande denominado corrente reversa. Falso

l- A diferença depotencial a 20° Celso e aproximadamente 0,7 volts para o silício e 0,3 para o germânio. Verdadeiro

Questões
a- Comparando os semicondutores germânio e silício na temperatura ambiente, qual delestem o maior numero de elétrons livres na banda de condução.

Germânio

b- Mostrar que um semicondutor intrinsico na temperatura ambiente a concentração de lacunas na banda de Valencia é igual à...
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