Lab TCFE6

Teoria dos Circuitos e Fundamentos de Electrónica
Laboratório vi

TRANSISTOR de JUNÇÃO BIPOLAR (TJB)

Índice

Preparação do Laboratório 3
I. Transistor em Montagem de Emissor Comum. Regime Estacionário 3

II. Transistor em Montagem de Emissor Comum. Regime Dinâmico 7

1. Dimensionamento de e Cálculo do Ponto de Funcionamento em Repouso do Circuito e da Potência no Transistor 7

2. Ganho Incremental de Corrente , de Tensão e de Potência para os Casos de Desligado e Ligado 9

Trabalho Experimental 13

I. Conclusões 13

II. Anexos 13

Preparação do Laboratório
I. Transistor em Montagem de Emissor Comum. Regime Estacionário

Para esboçar o andamento da tensão , é necessário analisar o transístor nas suas três zonas de funcionamento.

Observando o circuito da figura 1, tem-se que:
Zona de Corte:
Na zona de corte tem que se verificar a seguinte condição :

(0)

Estudando o circuito, através da Lei das Malhas é possível obter

(0)

Ora, como

(0)

Tem-se então que

(0)

Sabendo que

(0)

Enquanto

(0)

Usando de novo a Lei das Malhas,

(0)

E como na expressão (3) se tem que ,

(0)

Temos assim que na zona de corte o valor de é dado pela expressão (8) e o valor de está limitado em (5).
Zona Activa:
A condição relativa à zona activa é

(0)

Assim como

(0)

(0)

Recorrendo então à Lei das Malhas

(0)

(0)

Retira-se então da expressão (13) que

(0)

Substituindo na expressão (10) o valor de

(0)

Substituindo de seguida o valor de obtido em (15) na equanção (12)

(0)

E por fim, com os valores fornecidos no enunciado do relatório, obtém-se a seguinte equação para

(0)

Então na zona activa, o valor de é dado pela expressão (17), mas falta calcular o intervalo em que se situa .
Zona de saturação:
Na zona de saturação tem-se que

(0)

(0)
Assim como

(0)

(0)

Após a análise do circuito, substitui-se o transistor por 2 diodos em condução (figura 2).

Recorrendo à Lei das Malhas

(0)

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