Graduando

Dispositivos Eletrônicos SCR, IGBT e Transistores de Unijunção

Introdução: Desde a invenção do primeiro tiristor de junção PNPN, pelos laboratórios Bell em 1957, houve um grande avanço nos dispositivos semicondutores de potência. Para serem aplicados em sistemas de elevada potência e substituírem as rudimentares válvulas ignitron, phanotron e thyratron, os dispositivos semicondutores devem ser capazes de suportar grandes correntes e elevadas tensões reversas em seu chaveamento. Além disso, em várias aplicações de eletrônica de potência, há necessidade de uma operação em elevadas frequências de chaveamento dos dispositivos semicondutores, como, por exemplo, os inversores de tensão, necessários para a construção de filtros ativos de potência. Dessa forma, os dispositivos semicondutores devem possuir baixas perdas de potência durante o chaveamento. Até 1970, os tiristores convencionais foram exclusivamente usados para o controle de potência em aplicações industriais. Desde 1970, vários tipos de dispositivos semicondutores de potência foram desenvolvidos e se tornaram disponíveis comercialmente. Estes dispositivos podem ser amplamente divididos em cinco tipos: os diodos de potência, os tiristores, os transistores bipolares de junção de potência, os MOSFET’s de potência, os SIT’s (Static Induction Transistor) e os IGBT’s(Insulated Gate Bipolar Transistor). Este trabalho vai tratar dos SCR’s, IGBT’s e dos Transistores de Unijuncão.
2. SCR O dispositivo SCR com mais 55 anos de idade é considerado o burro de carga da indústria da potência. O dispositivo premium (prime). Mas, muito mais que isto; é o uma forma especial de transistor que, além de sua importância prática, tem desempenhado papel único em sua forma desde que o Si emergiu como a principal substância da eletrônica, como material chave do qual não houve nenhum substituto até agora (e talvez nunca haverá).
2.1. Funcionamento
O SCR, também conhecido como tiristor, é um dispositivo semicondutor