Gozzo Gabriel Canale

GABRIEL CANALE GOZZO

ESPALHAMENTO ELETRÔNICO POR
RUGOSIDADE INTERFACIAL EM
HETEROESTRUTURAS InGaAs/InP e
GaAs/AlGaAs

Trabalho de Conclusão de Curso apresentado à Escola de Engenharia de São Carlos, da
Universidade de São Paulo
Curso de Engenharia Elétrica com ênfase em Eletrônica

ORIENTADOR: Yuri Pusep

São Carlos
2010

AUTORIZO A REPRODUÇÃO E DIVULGAÇÃO TOTAL OU PARCIAL DESTE
TRABALHO, POR QUALQUER MEIO CONVENCIONAL OU ELETRÔNICO,
PARA FINS DE ESTUDO E PESQUISA, DESDE QUE CITADA A FONTE.

Ficha catalográfica preparada pela Seção de Tratamento da Informação do Serviço de Biblioteca – EESC/USP

G725e

Gozzo, Gabriel Canale
Espalhamento eletrônico por rugosidade interfacial em heteroestruturas InGaAs/InP e GaAs/AlGaAs / Gabriel
Canale Gozzo ; orientador Yuri Pusep. –- São Carlos,
2010.

Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em
Engenharia Elétrica com ênfase em Eletrônica) -- Escola de Engenharia de São Carlos da Universidade de São
Paulo, 2010.

1. Espalhamento. 2. Rugosidade interfacial.
3. Semicondutores. I. Título.

Dedicatória
Dedico este trabalho ao meu pai e à minha mãe.

Agradecimentos
Agradeço ao professor Yuri Pusep pela orientação de minhas iniciações científicas e deste
Trabalho de Conclusão de Curso, e por sua constante disposição para o esclarecimento de minhas dúvidas. Agradeço aos professores integrantes da banca de avaliação, por dedicarem seus tempos e suas atenções a este trabalho.
Agradeço ao professor Edson Gesualdo pelas orientações relativas à forma de apresentação do conteúdo.

Resumo
Amostras de heteroestruturas semicondutoras InGaAs/InP foram preparadas por fotolitografia com o objetivo de determinar os parâmetros geométricos da rugosidade interfacial e a influência do espalhamento por rugosidade na mobilidade.
A altura da rugosidade foi determinada por difratometria por raios-X. A extensão lateral da rugosidade foi determinada pelo ajuste dos valores experimentais na dependência teórica.
As mobilidades e parâmetros geométricos