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Fet

Field effect transistor
Transístor de efeito de campo

INTRODUÇÃO
• Os transístores bipolares e os transístores de efeito de campo (Fet) distinguem-se pela sua estrutura e teoria de funcionamento; há no entanto uma diferença que determina a sua utilização: – O transístor bipolar é comandado por corrente, enquanto o Fet é comandado por tensão.

FORMADOR: FERNANDO SIMÕES

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J-Fet
(Junction Field Effect
Transistor)

TIPOS DE FET

MOS-Fet
(Metal Oxide
Semiconductor - Field
Effect Transistor
)

FORMADOR: FERNANDO SIMÕES

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J-Fet
Zona de deplecção

VGS

VDS

NOTA: Para o J-Fet canal P devemos inverter a polaridade das tensões aplicadas aos terminais.

FORMADOR: FERNANDO SIMÕES

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J-FET
• O J-Fet canal N é constituído basicamente por uma junção
PN, sendo ambos os extremos da região N dotada de terminais (Dreno e Fonte), formando a região P (Gate ou porta) um anel em volta da região N.
• Se ligarmos uma bateria entre os terminais da região N circulará uma corrente limitada apenas pela resistência do material semicondutor.
Porém,
se polarizarmos inversamente a junção PN (Gate negativa em relação à
Fonte), formar-se-á uma zona de deplecção em volta da junção PN. Devido a esse facto, ficará mais estreito o canal o que equivale a um aumento da resistência interna da região N.
• Através da Gate podemos determinar o maior ou menor fluxo de corrente entre os terminais Fonte e Dreno. Fixando o valor da tensão dreno-fonte (VDS), a corrente de dreno (ID) será função da polarização inversa da Gate que variará a espessura do canal por variação da zona de deplecção.
FORMADOR: FERNANDO SIMÕES

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SIMBOLOGIA

• D – Drain (Dreno)
• S – Source (Fonte)
• G – Gate (Porta)
FORMADOR: FERNANDO SIMÕES

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MODO DE FUNCIONAMENTO
•

RD

VDS
•

IDS
RG

RS

•

•
J-Fet canal N

Para o Fet funcionar a Gate deve ser inversamente polarizada (no J-Fet canal N: Gate negativa em relação à