Física

XII JORNADA DE ENSINO, PESQUISA E EXTENSÃO – JEPEX 2012 – UFRPE: Recife, 26 a 30 de novembro.

ANÁLISE DAS PROPRIEDADES ELETRÔNICAS E ÓPTICAS DE
LIGAS TERNÁRIAS E QUARTERNÁRIAS BASEADOS NO InGaAsN
Thiago Freire de Oliveira 1, Sara Cristina Pinto Rodrigues2

Introdução
Nos últimos anos, sistemas de nitretos diluídos, tais como o InGaAsN, são bons candidatos para várias aplicações e m dispositivos. O InGaAsN é considerado um material promissor para obtenção de lasers que trabalham na faixa entre
1,3 e 1,5 , assim como na fabricação de células solares com eficiência relevante e produção de transistores de heterojunção (Hoffmann et al. 2002). A incorporação de N em GaAs resulta num forte desvio do comprimento de onda de emissão para o vermelho (Buyanova et al., 2000). Além disso, a tensão pode ser minimizada uma vez que há um efeito de oposição do In e do N com relação ao parâmetro de rede, em correspondência ao do InGaAsN em GaAs
(Kurtz et. al.,1999). No entanto, apesar de seu grande potencial de aplicação, a compreensão das suas propriedades físicas, é bastante incompleta (Vurgaftman et. al., 2001). Em particular, os mecanismos dominantes de emissão de luz nestas ligas e sua dependência sobre a composição de nitrogênio não estão bem estabelecidos. Tal informação é crucial não apenas para um melhor entendimento das propriedades ópticas das ligas do grupo III - V contendo N (Buyanova et. al., 1999), mas também para u m melhor controle tecnológico da formação da liga e da otimização de uma emissão de luz mais eficiente (Eurydice, 2004). Outro ponto diz respeito à investigação da liga InGaAsN com dopagem tipo-p. Isto é de grande importância uma vez que, por exemplo, pode-se melhorar o transporte em dispositivos HBT (transistores bipolares de heterojunção). Neste trabalho descrevemos cálculos teóricos dos espectros de fotoluminescência, em superredesde GaAs/InGaAsN, com dopagem tipo -p. Os cálculos são realizados utilizando o método resolvendo a