Formaçao dos elementos

Formação dos elementos tipo P e N
Devido a tendência de transformar-se em uma estrutura simétrica, um material semicondutor quase não possui elétrons livres.
Para se utilizar efetivamente os materiais semicondutores, são introduzidos elementos adicionais, nas estruturas cristalinas denominadas “impurezas”, através de processos de injeção ou difusão.
Estas impurezas são elementos cujos átomos possuem três ou cinco elétrons na camada de valência. Estas impurezas são introduzidas dentro do material semicondutor em pequenas quantidades.
A tendência de formar uma estrutura simétrica faz com que os átomos de “impurezas” se acomodem de tal maneira que produzam elétrons livres, portanto que podem ser deslocados com facilidade (o quinto elétron de cada átomo da impureza). Ou a falta de elétrons no caso da adição de elementos com três elétrons na última camada.
Formação do material tipo P
Ao realizar a dopagem do material semicondutor (Silício ou Germânio) através da introdução de impurezas com três elétrons na camada de valência como o Alumínio, o Índio, o Boro ou o Gálio, temos a formação de ligação covalente entre o material semicondutor e a impureza. Ao introduzir-mos um elemento deste tipo, numa das ligações faltará um elétron, pois o elemento contribuiu com apenas três elétrons. Esta falta de elétrons comporta-se como um material apto a receber elétrons (material com carga positiva), sendo assim este pode receber um elétron de outra união.

Formação de lacunas em um semicondutor com impurezas tipo P |
Formação do elemento tipo N
Ao associarmos um elemento com cinco elétrons na última camada como o Antimônio, o Fósforo, ou Arsênio, ao material semicondutor, os mesmos irão formar ligações covalentes, porém haverá um elétron, que poderá mover-se pela estrutura com maior facilidade, está formado o material com carga negativa.

Formação de lacunas em um semicondutor com impurezas tipo N | |
Influência da temperatura nos semicondutores
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