Estudante

Análise de Amplificadores de Pequenos Sinais a Transistor Bipolar de Junção
Departamento de Engenharia Industrial Elétrica

Yure Souza

03/2013

Análise de Amplificadores de Pequenos Sinais a Transistor Bipolar de Junção
Departamento de Engenharia Industrial Elétrica

Relatório II Unidade

Salvador/BA
03/2013
1.0 Introdução

A análise das formas de ondas é um fator importante no estudo do comportamento do circuito. Este relatório descreve a simulação análise de pequenos sinais a transistor bipolar de junção com o auxílio do software de simulação de circuitos Multisim.

2.0 Objetivo
O experimento tem como objetivo a simulação e análise dos parâmetros do amplificador de pequenos sinais a TBJ ambiente Multisim, a fim de fazer uma comparação entre os resultados teóricos obtidos e a simulação. Tem também como objetivo observar o comportamento dos circuitos com a alteração de parâmetros.

3.0 Metodologia
Foi montado um circuito amplificador TBJ no Multisim inicialmente sem carga ligada a saída como pode ser mostrado na figura 1. A simulação teve como primeiro passo a obtenção de alguns parâmetros e firmas de ondas do circuito como veremos logo a seguir. Para isto foram utilizadas algumas ferramentas do Multisim como voltímetros, amperímetros, osciloscópio e outros.

Figura 1- Amplificador de pequenos sinais a TBJ 4.0 Resultados e discursão

Como primeiro resultado obteve-se as características de entrada e de saída do TBJ e a determinação do ponto quiescente. Para obtenção deste parâmetro foi traçada as curvas para correntes de base constante e a reta de carga. Observol-se então uma diferença entre o ponto de operação dado pelo cruzamento da curva e a reta de carga com o ponto que o circuito simulado realmente indica. Esta divergência se deu pelas diferente tensões no coletor emissor (Vce), que pode ser observada na figura 2. Figura 2- Pontos de operação

Para efeitos quantitativos foi calculado o desvio relativo a Vce