Engenharia

-SRAM
. Nome : Static random-access memory(cache)
Memória usada para armazenar pedaços de programas que já foram usados uma vez.
. Volatilidade: volatil
. Leitura/escrita ou Somente leitura: Leitura/escrita
. Apagável ou não: Apagavel
. Tempo de acesso: ~ 5 a 20 ns . Processo de gravação: Semi-condutora

-DRAM
. Nome : Dynamic random-access memory
Memória de acesso dinâmico, e variável por poder acessar qualquer parte da memória.
. Volatilidade: volatil
. Leitura/escrita ou Somente leitura: Leitura/escrita
. Apagável ou não: Apagavel
. Tempo de acesso: ~ 50 a 80 ns

. Processo de gravação: Semi-condutora

-FPM DRAM
. Nome : Fast Page Mode dynamic random-access memory
Memória que localiza o bits em linhas e colunas no DRAm.
. Volatilidade: volatil
. Leitura/escrita ou Somente leitura: Leitura/escrita
. Apagável ou não: Apagavel
. Tempo de acesso: ~ 50 a 80 ns
. Processo de gravação: Semi-condutora

-EDO DRAM
. Nome : Extended Data-Out dynamic random-access memory
Memória que localiza o proximo bits em linhas e colunas no DRAM, enquanto o FPM DRAm proucuro o que está sendo executada.
. Volatilidade: volatil
. Leitura/escrita ou Somente leitura: Leitura/escrita
. Apagável ou não: Apagavel
. Tempo de acesso: ~ 50 a 80 ns
. Processo de gravação: Semi-condutora

BEDO DRAM
. Nome : Burst Extended Data Output dynamic random-access memory
Memória que manda palavra ou de endereço , de dados ou instrução de volta ao computador.
. Volatilidade: volatil
. Leitura/escrita ou Somente leitura: Leitura/escrita
. Apagável ou não: Apagavel
. Tempo de acesso: ~ 50 a 80 ns . Processo de gravação: Semi-condutora

SDRAM
. Nome : Syncronism dynamic random-access memory Ela faz isto ficando na linha que contém o bit requisitado e movendo-se rapidamente através das colunas, lendo cada bit conforme ele passa.
. Volatilidade: volatil
. Leitura/escrita ou Somente leitura: Leitura/escrita
. Apagável ou não: Apagavel
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