Engenharia elétrica

Páginas: 8 (1928 palavras) Publicado: 13 de agosto de 2012
ELC1032
Fundamentos de Eletrônica de Potência

Universidade Federal de Santa Maria

Prof. Humberto Pinheiro, Ph.D.
e-mail: humbertoelc1032@hotmail.com

04/2009

ELC 1032 – Fundamentos de Eletrônica de Potência_______________________________

2

Sumário
Sumário.......................................................................................................................................... 2
1.1 Teoria de Circuitos Comutados ............................................................................................... 4
Introdução .................................................................................................................................. 4
1.1.1. Características Estáticas Ideais de Semicondutores de Potência.................................... 4
1.1.2.a. Diodo ........................................................................................................................ 5
1.1.2.b. Tiristores ................................................................................................................... 5
1.1.2.c. BJT Bipolar Junction Transistor.............................................................................. 6
1.1.2.d. MOSFETS Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors ........................... 7
1.1.2.e. IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor.................................................................. 7
GTO – Gate Turn-off Thyristor ............................................................................................. 8
Combinação típica deSemicondutores.................................................................................. 9
Solução de Circuitos Com Semicondutores de Potência Idéias .............................................. 12
Exemplo 1 ............................................................................................................................ 12
1.2. Definições Básicas................................................................................................................ 48
1.2.1. Valor Médio ................................................................................................................... 48
1.2.1.1. Ex.: Calculo da tensão média de um retificador de meia onda............................... 48
1.2.2. Valor Eficaz................................................................................................................... 49
1.2.2.1. Ex.: Calculo da corrente eficaz em um retificador de entrada meia-onda .............. 49
1.2.3. Distorção harmônica total .............................................................................................. 50
1.2.3.1. Ex.: Calculo da THD para uma dada forma de onda .............................................. 51
1.2.4.Fator de Potência ........................................................................................................... 51
1.2.5. Fator de Deslocamento .................................................................................................. 52
1.2.6. Fator de Utilização......................................................................................................... 521.2.7. Rendimento .................................................................................................................... 52
1.2.8. Fator de Desequilíbrio ................................................................................................... 53
1.2.9. Fator deOndulação........................................................................................................ 54
1.2.10. Fator de Crista ............................................................................................................. 54
Exercício .................................................................................................................................. 55

ELC 1032 – Fundamentos de Eletrônica de Potência_______________________________

3

1.3. Dispositivos...
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