Engenharia elétrica

ELC1032
Fundamentos de Eletrônica de Potência

Universidade Federal de Santa Maria

Prof. Humberto Pinheiro, Ph.D. e-mail: [e-mail]

04/2009

ELC 1032 – Fundamentos de Eletrônica de Potência_______________________________

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Sumário
Sumário .......................................................................................................................................... 2
1.1 Teoria de Circuitos Comutados ............................................................................................... 4
Introdução .................................................................................................................................. 4
1.1.1. Características Estáticas Ideais de Semicondutores de Potência .................................... 4
1.1.2.a. Diodo ........................................................................................................................ 5
1.1.2.b. Tiristores ................................................................................................................... 5
1.1.2.c. BJT Bipolar Junction Transistor .............................................................................. 6
1.1.2.d. MOSFETS Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors ........................... 7
1.1.2.e. IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor.................................................................. 7
GTO – Gate Turn-off Thyristor ............................................................................................. 8
Combinação típica de Semicondutores.................................................................................. 9
Solução de Circuitos Com Semicondutores de Potência Idéias .............................................. 12
Exemplo 1 ............................................................................................................................ 12
1.2. Definições Básicas