eletronica

Páginas: 6 (1481 palavras) Publicado: 1 de dezembro de 2014
ANHANGUERA EDUCACIONAL LTDA
Faculdade Anhanguera de São José dos campos




ATPS ELETRONICA ANALOGICA I





ESTUDO DE DE OPERAÇÃO DOS TRANSISTORES BIPOLAR




Joás Jovino dos Santos RA.: 1054024361




Prof: Edmundo
1 INTRODUÇÃO

Estudo de operação dos transistores e seus tipos de polarização, para o desenvolvimento do circuito de consumo do circuito retificador.etapa 3

Polarização CC – TBJ.

passo 1

O transistores de junção Bipolar, TJB (BJT), é um dispositivo semicondutor, composto por três regiões de semicondutores dopados (base, colector e emissor), separadas por duas junções p-n figura 1. A junção p-n entre a base e o emissor tem uma tensão de barreira (V0) de 0,6 v, que é paramentro importante do TJB (BJT).
Contrariamente ao transistor deefeito de campo, TEC (FET), no qual a corrente é produzida apenas por um único tipo de portador de cargas ( Electrões e lacunas), daí a origem do nome bipolar.



Figura 1: Transístor de junção bipolar

Existem dois tipos de TsJB (BJTs): npn e pnp. O tip de npn consiste em duas regiões n separadas por uma região p. o tipo pnp consiste em duas regiões p separadas por uma região n. as figuras 2 e3 representam os seus respectivos símbolos esquemáticos. Aecplicação seginte refere-se ao TJB (BJT) npn, que é utilizado nesta demostração.

Figura 2: Simbolo esquemático de um TJB, npn



Figura 3: Simbolo esquemático de um TJB, npn

Num transistor bipolar pnp as curvas características são semelhantes e diferem apenas ao que diz respeito ao sentido das tensões e correntes uma vez apolarização desse transistor ocorre de maneira oposta ao npn.
Para fazer o levantamento dessas curvas podemos fixar uma tensão entre coletor e base e para esta tensão ir variando a tensão entre a base e o emisso medindo a corrente de emissor. Em seguida fixamos a corrente emissor medida anteriormente e variamos a tensão entre coletor e base medindo as correntes de coletor para cada uma delas.

Curvacaracterístico de entrada




Curva característico de saída








passo 2
1.1 polarização tipo chave
Este tipo de transístor funciona de forma diferente dos outros conhecido como Mosfet de potência canal N. Não servem para controlar correntes alternadas, os MOSFETS são mais caros que os transístores bipolares, mas funcionam melhor como chaves.
Aqui a resistência entre doisterminais, o dreno (drain) e a fonte (source), é determinada pela tensão aplicada a um terceiro teminal, a porta (gate). O dreno é ligado à alimentação positiva através da carga e a fonte é ligado ao terra. A fonte é as vezes chamada de "supridouro".
Inicialmente a resistência entre o dreno e a fonte é um valor muito alto, praticamente um circuito aberto, mas à medida que a tensão na porta aumenta,esta resistência cai, chegando a um valor que é praticamente um circuito fechado. Geralmente esta condução começa quando a tensão na porta chega a cerca de três volts e atinge a menor resistência possível quando a tensão na porta atinge cerca de 10 volts.
Aqui também é importante que o transístor seja levado à plena condução para que a potência dissipada seja a menor possível. O valor daresistência do MOSFET quando ele está no estado "ligado" é fornecida pelo fabricante nos datasheets. Como a potência dissipada é o produto desta resistência pelo quadrado da corrente, é aconselhável escolher sempre o MOSFET que tiver a menor resistência de estado "ligado".
O terminal de controle (base ou gate) tem sua tensão comparada com a tensão no emissor ou na fonte, portanto, não é uma boa idéiacolocar a carga em série com estes terminais (figura 4).

Figura 4: A carga não deve ser ligada nem ao emissor, nem à fonte (s).
Lembrando também que, entre o emissor e a base, o transistor se comporta como um diodo e, portanto, não é boa idéia acionar os transistores bipolares ligando sua base diretamente à tensão de alimentação ou ao terra. Isto equivale a um curto circuito (figura 5)....
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