eletronica

ANHANGUERA EDUCACIONAL LTDA
Faculdade Anhanguera de São José dos campos

ATPS ELETRONICA ANALOGICA I

ESTUDO DE DE OPERAÇÃO DOS TRANSISTORES BIPOLAR

Joás Jovino dos Santos RA.: 1054024361

Prof: Edmundo
1 INTRODUÇÃO

Estudo de operação dos transistores e seus tipos de polarização, para o desenvolvimento do circuito de consumo do circuito retificador.

etapa 3

Polarização CC – TBJ.

passo 1

O transistores de junção Bipolar, TJB (BJT), é um dispositivo semicondutor, composto por três regiões de semicondutores dopados (base, colector e emissor), separadas por duas junções p-n figura 1. A junção p-n entre a base e o emissor tem uma tensão de barreira (V0) de 0,6 v, que é paramentro importante do TJB (BJT).
Contrariamente ao transistor de efeito de campo, TEC (FET), no qual a corrente é produzida apenas por um único tipo de portador de cargas ( Electrões e lacunas), daí a origem do nome bipolar.

Figura 1: Transístor de junção bipolar

Existem dois tipos de TsJB (BJTs): npn e pnp. O tip de npn consiste em duas regiões n separadas por uma região p. o tipo pnp consiste em duas regiões p separadas por uma região n. as figuras 2 e 3 representam os seus respectivos símbolos esquemáticos. Aecplicação seginte refere-se ao TJB (BJT) npn, que é utilizado nesta demostração.

Figura 2: Simbolo esquemático de um TJB, npn

Figura 3: Simbolo esquemático de um TJB, npn

Num transistor bipolar pnp as curvas características são semelhantes e diferem apenas ao que diz respeito ao sentido das tensões e correntes uma vez a polarização desse transistor ocorre de maneira oposta ao npn.
Para fazer o levantamento dessas curvas podemos fixar uma tensão entre coletor e base e para esta tensão ir variando a tensão entre a base e o emisso medindo a corrente de emissor. Em seguida fixamos a corrente emissor medida anteriormente e variamos a tensão entre coletor e base medindo as correntes de coletor para cada uma delas.

Curva