Eletronica

18/05/2011

INSTITUTO FEDEREAL DE MINAS GERAIS
Campus Ouro Preto

TRANSISTOR DE EFEITO DE
CAMPO METALMETAL-ÓXIDOÓXIDOSEMICONDUTOR
Prof. Mário Cupertino

Ouro Preto, 17 de maio de 2011

MOSFET de Acumulação

Representou grande avanço tecnológico (fabricação simples, alto desempenho, tamanho reduzido);; reduzido)
MOSFET de acumulação e MOSFET de depleção depleção.. 1

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MOSFET DE ACUMULAÇÃO
Em sua construção o contato metálico do terminal da porta é separado do substrato por uma camada isolante de SiO
SiO2
2;
Por ter a porta isolada do substrato, a impedância de entrada do MOSFET é ainda maior que a do JFET, fazendo IG = 0;
O MOSFET pode apresentar o substrato disponível ou curto curto-circuitado internamente com o terminal da fonte (mais comum); comum); MOSFET DE ACUMULAÇÃO – canal N
Aterrando-se o substrato P e aplicandoAterrandoaplicando-se uma tensão positiva à porta, surge um campo elétrico entre G e substrato que atrai elétrons para próximo da porta porta;; Dependendo da quantidade de elétrons poderá ser formado um canal entre D e S;

.

2

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MOSFET DE ACUMULAÇÃO – canal N
Embora o material próximo a porta seja do tipo
P, o campo elétrico faz com que no canal os elétrons tornem tornem-se majoritários, criando uma camada de inversão (canal N)
N);;
Com o aumento de VG, mais elétrons são atraídos, alargando o canal, diminuindo a resistência e aumentando ID.
ID.

.

MOSFET DE ACUMULAÇÃO – canal N (curvas características)

Para VGS < VT (tensão de limiar), ID = 0;
A partir de VT, o aumento de corrente é mais intenso, indicando a diminuição na resistência entre dreno e fonte fonte;; (VT = 1 a 4V).
V).

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MOSFET DE ACUMULAÇÃO –
POLARIZAÇÃO
Mesma forma que JFET
JFET::
VGS Constante;
Constante;
Divisor de Tensão na Porta
Observação:
Observação
Autopolarização não pode ser utilizada, pois impõe uma tensão reversa na junção porta-fonte,