eletronica

Teoria basica
Portadores de carga
Elétrons  negativa
Anions  material com carga negativa (recebeu elétron(s))
Lacunas  positiva
Cátions  material com carga positiva (perdeu elétron(s))

Camada de valência  ultima camada obtida na distribuição eletrônica (camadas da elétrosfera: K, L, M, N, O, P,Q)
Monovalente:
Química: material com 1 elétron na camada de Valencia.
Anion monovalente: material com carga negativa (-1) por ganho de elétron.
Cátion monovalente: material com carga positiva (+1) por perca de elétron.

Bivalente:
Química: material com 2 elétron na camada de Valencia.
Anion bivalente: material com carga negativa -2 por ganho de 2 elétrons.
Cátion bivalente: material com carga positiva +2 por perca de 2 elétrons.

Trivalente (3), tetravalente (4), pentavalente (5), hexavalente (6).

Semicondutores materiais com valores de resistividade entre os condutores e isolantes (10 a 1000 Ωxcm)
Metais :10-6 Ωxcm
Isolantes: >1010 Ωxcm São os materiais obtidos nas colunas IV, III-V ou II-VI da T.P.(tabela periódica). Ultimas camadas eletrônicas estão completas. (K,L,M,N,O,P,Q)(cujas capacidades são de: 2,8,18,32,32,18,8,2 elétrons)
Ex: silício(Si), Silico-Germanico (SiGe), arsenato de gálio (GaAs), sulfeto de cádmio (CdS), AlGaAs, InGaAsP.

Dopagem:
Altera a resistividade do material com a substituição de silício por átomos de impurezas dopantes das colunas III ou V.
Coluna III  São chamados trivalentes ou aceitadores e usados para criar camadas com predominância de lacunas, ou tipo P (positiva).
Ex de substancias dopantes para silício tipo P:
Boro (B), Alumínio (A) e Gálio (Ga).

Coluna V  São chamados pentavalentes ou doadores e usados para criar camadas com predominância de elétrons, ou tipo N (negativa).
Ex de substancias dopantes para silício tipo N:
Fósforo (P), arsênio (As) e Antimônio (Sb).

A concentração destas substancias dopantes varia de 1x1013 a 1x1021 atomos/cm3

Junção PN: Quando juntas as camadas P