eletronica tiristores

SUMÁRIO TOC \o "1-3" \h \z \u 1.INTRODUÇÃO PAGEREF _Toc400900329 \h 42.ESTRUTURA PAGEREF _Toc400900330 \h 53.FUNCIONAMENTO PAGEREF _Toc400900331 \h 54.TIPOS DE TIRISTORES PAGEREF _Toc400900332 \h 54.1 SCR PAGEREF _Toc400900333 \h 54.2 SCS PAGEREF _Toc400900334 \h 64.4 TRIAC PAGEREF _Toc400900335 \h 64.5 RTC PAGEREF _Toc400900336 \h 64.6 SITH PAGEREF _Toc400900337 \h 64.7. SCRs ativados por Luz (LASCR) PAGEREF _Toc400900338 \h 74.8 Tiristores controlados por FETs (FET-CTH) PAGEREF _Toc400900339 \h 74.9 MCT PAGEREF _Toc400900340 \h 75. Como funciona o SNUBBER PAGEREF _Toc400900341 \h 86 Analise de um circuito PAGEREF _Toc400900342 \h 86 CONCLUSÃO PAGEREF _Toc400900343 \h 157. REFERÊNCIAS PAGEREF _Toc400900344 \h 16
INTRODUÇÃOEm 1948, a partir de estudos sobre o comportamento de elétrons na interface entre um metal e um semicondutor, os cientistas da Bell Telephone, John Bardeen,Walter Brattain e William Shockley conseguiram criar o transistor de silício. Mais tarde, os pesquisadores concebem o transistor disparável PNPN (tiristor ou retificador controlado de silício) e recebem o Prêmio Nobel de Física por suas pesquisas em semicondutores e descoberta do efeito transistor. O feito expressivo deu início à fase do estado sólido e trouxe uma série de vantagens em relação à emissão de energia termoiônica, como a facilidade de fabricação, automação e concepção de dispositivos. “Eficientes, eles também apresentavam baixo custo em relação aos seus antecessores”, esclarece o fundador da Sociedade Brasileira de Eletrônica de Potência e presidente do primeiro Congresso Brasileiro de Eletrônica de Potência (Cobep), o engenheiro eletricista Ivo Barbi.
Mas uma outra revolução estava prestes a começar quando em 1958 a General Electric Company passou a desenvolver comercialmente o tiristor. Foi então que, a partir da descoberta dos engenheiros da Bell Telephone, originou-se o Retificador Controlado de Silício (SCR), denominação dada pela empresa norte-americana, e que