Eletronica Industrial

Transistor
Resumo/adapta¸˜o de partes do livro ca BOYLESTAD, Dispositivos Eletrˆnicos – Teoria e Circuitos, o Pearson, 8a Edi¸˜o, 2004 ca Esta apresenta¸˜o tem car´ter preliminar, realizada para apoiar as aulas ca a te´ricas. o
Est´ sendo colocada, sem revis˜es, ` disposi¸˜o do aluno apenas para guiar a o a ca seus estudos quanto ao conte´do abordado em sala de aula. u N˜o substitui o livro em que foi baseada. O livro deve sempre estar dispon´ a ıvel para completar lacunas e permitir a detec¸˜o de falhas (erros neste material ca ser˜o discutidos em sala de aula, e n˜o necessariamente corrigidos. Use este a a material como guia, e estude pelo livro).

Transistor de Efeito de Campo
O transistor de efeito de campo, FET (do inglˆs, Field-Effect e Transistor ), ´ um dispositivo de trˆs terminais, utilizado em v´rias e e a aplica¸˜es. co Aplica¸˜es similares `s do TBJ: co a
• Amplificadores
• Dispositivos chaveadores
• Circuitos para casamento de impedˆncias a Diferen¸as entre FETs e TBJs c • FETs s˜o dispositivos controlados por tens˜o, e BJTs s˜o a a a controlados por corrente
• FETs possuem elevada impedˆncia de entrada, ao passo que a BJTs tem ganhos maiores
• FETs s˜o menos sens´ a ıveis a varia¸˜es de temperatura e mais co f´ceis de serem integrados em CIs a • FETs s˜o geralmente mais sens´ a ıveis ` est´tica que TBJs; a a

Transistor de Efeito de Campo

A principal diferen¸a entre os dois tipos de transistores ´ o fato de c e o TBJ ser um dispositivo controlado a corrente, enquanto que o
JFET ´ um dispositivo controlado a tens˜o. e a

Transistor de Efeito de Campo

O FET possui um canal, que pode ser do tipo p ou n.
´
E um dispositivo unipolar, dependendo somente da condu¸˜o ca realizada por el´trons (canal n) ou buracos (canal p). e Nos transistores bipolares (BJT) estudados anteriormente, ambos os portadores participam da condu¸˜o. ca O termo ”efeito de campo”vem da a¸˜o um