Eletronica de potencia

Trabalho de Eletrônica de Potência

Aluno: Marlon Moraes Borges Professor: Raul

Transistor de Unijunção (UJT)
Introdução
O transistor foi criado nos laboratórios da Bell Telefone em dezembro de 1947. A invenção desse componente é atribuída a três cientistas: Bradeen, Brattain e Shockley. O primeiro transistor surgiu por acaso durante estudos de superfícies em torno de um diodo de ponto de contato e seu nome foi derivado de suas características intrínsecas: "resistor de transferência" (transfer + resistor). Em 1955 iniciou-se a comercialização do transistor de silício, com essa tecnologia o preço do transistor caiu já que o silício ao contrario do germânio, é mais abundante na natureza.

O transistor de unijunçao
É um transistor que pode ser utilizado em osciladores de baixa freqüência, disparadores, estabilizadores, geradores de sinais, dentes de serra e em sistemas temporizados.

Símbolos
  

E – Emissor B1 – Base 1 B2 – Base 2

Constituição interna
Basicamente o transistor de unijunção é constituído por uma barra de material semicondutor do tipo N (de alta resistividade) com terminais nos extremos. Tais contatos não constituem junções semicondutoras, e assim, entre B2 (base 2) e B1 (base 1) temos, na prática uma resistência, formada pelo material semicondutor N. O material do tipo P como material do tipo N formam a única junção PN semicondutora interna. Tudo se passa como se o bloco do tipo N fosse formado por duas simples resistências (Rb2 e Rb1), em série, tendo ligado no seu ponto central um diodo (terminal E ou Emissor). O terminal do emissor (E) está mais próximo da base 2 (B2).

Principio de funcionamento
O valor resistivo normal entre os terminais da base 2 e 1 é relativamente alto (tipicamente entre 4 KΩ e 12 KΩ). Assim, se ligarmos o terminal B2 a um potencial positivo (tipicamente entre 6 e 30 Volt), e o terminal B1 ao negativo, uma corrente muito pequena circulará por Rb2 e Rb1. Ao mesmo tempo, Rb2 e Rb1 formam um divisor de