Eletrônica Analógica: Transistor J-FET

Páginas: 5 (1173 palavras) Publicado: 4 de novembro de 2013
ETEC “GETÚLIO VARGAS”
CENTRO ESTADUAL DE EDUCAÇÃO TECNOLÓGICA PAULA SOUZA


João Paulo de Oliveira Ramos
José Josivan
Marcelo Benício da Silva
Wagner Herculano Pinto
Washington









Relatório Técnico-Científico sobre
AMPLIFICADORES COM TRANSISTORES J-FET TIPO N











São Paulo, 2013




João Paulo de Oliveira Ramos
José Josivan
Marcelo Benícioda Silva
Wagner Herculano Pinto
Washington










Relatório Técnico-Científico sobre o
AMPLIFICADORES COM TRANSISTORES J-FET TIPO N

Relatório técnico apresentado como requisito parcial para obtenção de aprovação na disciplina eletrônica analógica, no Curso de Técnico em Eletrônica – Módulo III, na ETEC – Getúlio Vargas – Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza.Prof. César Augusto.





São Paulo, 2013

Objetivos


1.1 Averiguar o ganho de tensão para as diferentes condições de polarização do JFET canal N;

1.2 Verificar a influencia do capacitor em paralelo ao terminal da Fonte no ganho de tensão.




Materiais


(01) Matriz de contatos (Proto-Board);
(01) Multímetro digital;
(01)Osciloscópio de duplo traço;
(01) Fonte de Tensão DC Variável;
Cabos de conexão;
(01) FET: BF245A;
(03) Capacitores: 47 μF/≥40 V;
(01) Potenciômetro: 10 kΩ;
Resistores (≥ 0,5 W): (01) 2,2 MΩ, (01) 470 kΩ, (01) 12 kΩ, (01) 2k2 Ω e (02) 3k3 Ω.

Introdução Teórica


O transistor de efeito de campo, J-FET (em inglês: junction gate field-effect transistor) usa materiais portadores de carga colocadosem contato direto com seu canal para que se possa controlar a passagem de corrente elétrica. Esses materiais podem ser do tipo P (dopado positivamente) ou do tipo N (dopado negativamente) dependendo da dopagem de seu canal, pois eles sempre serão o opostos. Com esses materiais colocados em contato direto com o canal, cria-se uma zona de depleção que é influenciada pelas tensões injetadas no Gate,fazendo com que elas se "abram" ou "fechem" mais, influenciando assim na resistência do canal do JFET.
Seu funciona é através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transistor tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na área linear), e em chaves (operando fora da área linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. Os FETs têm como principal característica umaelevada impedância de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir transformadores em determinadas situações, além disso são usados para amplificar frequências altas com ganho superior ao dos transistores bipolares.

Na experiência abordada foi testado como ele se comporta com diferentes configurações para amplificação.Procedimentos experimentais




Etapa I


Inicialmente foi pedido para montar o circuito da figura 01:





Onde nesse circuito temos:

Vin = entrada do sinal alternado que será amplificado.
C1 – Capacitor de acoplamento de entrada, para filtrar o sinal DC evitando assim interferências de sinal AC.
RG – Resistor de polarização da Porta.
RD– Resistor de entrada.
C2 – Capacitor de acoplamento de saída.
RS – Resistor de desvio.
Vou – Saída do sinal.


Logo em seguida analisamos e anotamos os valores obtidos. Foi pedido:

1 – Ajustar o Vcc de modo que entre dreno e fonte se tenha 5V.
Na Figura 02 é mostrado como deve ser feita a instalação do multímetro para verificar a tensão entre dreno e fonte.Figura 02 – Tensão entre Dreno (D) e Fonte (S)








Figura 03 – Medição de RD.
2 – A tensão Vd, ou seja, a tensão que cai sobre o resistor Rd. A figura 03 mostra como pode ser feita essa medição.

3 – A tensão Vs, para fazer essa medição o principio é o mesmo que para medir Rd, basta mudar o multímetro de lugar e coloca-lo...
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