Dispositivos Ôhmicos

Páginas: 4 (814 palavras) Publicado: 9 de abril de 2014
Labaorátorio de Física 3 – Prática 5
Dispositivos Ôhmicos e Não Ôhmicos
Objetivos
1 – Verificar a depêndicia da corrente elétrica I que circula em um resistor de resistência R, em uma
lâmpada deencadecência e em diodo semicondutor de silício com campo elétrico E aplicado a esses
dispositivos. O campo é criado a partir de uma fonte CC e submetido a uma tensão V.
2 - Obter a curvacaracterística VxI para o resistor de resistência R. Utilizando o ajuste por
regressão linear do gráfico obtido, determinar o valor de R e comparar com o valor nominal
fornecido pelo fabricante.
3 – Obter acurva característica VxI para a lâmpada de incandecência. Fazer o ajuste parabólico para
o gráfico obtido. Verificar o desvio da Lei de Ohm (curva característica VxI linear) para a lâmpada
deve-se aoaumento de temperatura do filamento metálico devido ao efeito Joule.
4 - Obter a curva característica VxI para o diodo semicondutor de silício. Fazer o ajuste de
crescimento exponencial da correnteelétrica.
5 – Aravés da comparação do ajuste de regressão linear do gráfico ln(I) x V. Determinar a constante
de Boltzmann
Introdução
Os resistores são os dispositivos de dois terminaisprojetados para funcionarem em um circuito
elétrico de acordo cm a lei de Ohm.
V = R.I
A tensão é a diferença de potencial V=V2 – V1 entre o terminal 2 e o terminal 1 do resistor. Se V2 >
V1 a tensãoelétrica é positiva, caso contrário, negativa. O valor da corrente não se altera quanto ao
sinal carrega por ela, mas sim o sentido, num dispositivo ôhmico. Esses materiais condutores têm
comocaracteristica a independência da mobilidade eletrônica μ em relação ao campo elétrico E
aplicado ao material.
μ=μ(E)=constante.
A velocidade do deslocamento dos elétrons é verificada através de v = μ(E).E,permancendo linear
mesmo para altos campos elétricos. A curva do gráfico VxI será uma reta. A linearidade em uma
ampla faixa de campos elétricos é obtida apenas quando a temperatura T do metal...
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