Controladores Lógicos Programáveis

Estudo Comparativo Experimental entre o MOSFET
Convencional e do tipo Diamante em Altas Temperaturas fabricados com Tecnologia CMOS Convencional de 0,35 m da OnSemiconductor (MOSIS)
Egon Henrique Salerno Galembcek, Prof. Dr. Salvador Pinillos Gimenez1
Centro Universitário da FEI [e-mail], [e-mail]

Resumo: Este projeto tem por objetivo o estudo

200,0µ

-2

2. Metodologia
Estudo bibliográfico sobre a caracterização elétrica de MOSFETs submetidos a altas temperaturas; Medidas experimentais da curvas da corrente de dreno (IDS) em função da tensão de porta (VGS) e da tensão de dreno
(VDS), respectivamente, dos diferentes MOSFETs do tipo Diamante e dos seus respectivos equivalentes convencionais (mesma AG, mesmo fg e mesmas condições de polarização);

3. Resultados
As figuras abaixo mostram gráficos comparativos entre MOSFET do tipo Diamante e o convencional equivalente (mesma área de porta e fator geométrico –
W=12µm, L=20µm com α=36.9º).

Ids/(W/L) (A)

60,0µ

100,0µ

0,0

T= 300K W= 12m
T= 373K L= 20m
T= 323K
T= 423K
T= 473K
T= 523K
T= 573K

-1

0

1

2

3

VGT (V)

Figura 2 – Curva Ids x Vgt em função da temperatura para Vds= 500mV no Diamante equivalente
T= 300K
W= 12m
L= 20m

90,0µ
80,0µ
70,0µ

IDS/(W/L) (A)

Um estudo comparativo dos efeitos da alta temperatura (temperatura ambiente a 300ºC) entre
MOSFETs do tipo “n” Diamante e o respectivo convencional equivalente (mesma área de porta AG, mesmo fator geométrico fg=W/L e mesmas condições de polarização) mostrou que o estilo de leiaute
Diamante, com ângulos  menores que 90º, apresenta maior corrente de fuga (ILeak) que o equivalente convencional, que pode reduzir o tempo de vida de equipamentos que usam baterias, porém para ângulos  maiores que 135º, ILeak da estrutura do Diamante é praticamente o mesmo que a do equivalente convencional [1] e portanto a estrutura Diamante pode ser usada ao invés da