Comando Igbt

Fontes de alimentação c.c.-c.a

Transistores MosFet de Potência
1. O controle do transistor MosFet é feito aplicando-se uma tensão VGS > VTH para condução e VGS < VTH para bloqueio;
2. A tensão de “threshold” VTH é da ordem de uns 3V a 4V;
3. A impedância de entrada de um transistor MosFet é muito elevada;
4. O MosFet de Potência é constituido de muitas células conectadas em paralelo; 5. A condução é feita por portadores majoritários;
6. A máxima tensão VGS é de +20V e a mínima é de -20V;
7. Em condução, o MosFet se comporta como um resistor com coeficiente de temperatura positivo ( rdson) e o valor deste resistor depende da amplitude de VGS;
8. Quanto maior a tensão de ruptura do MosFet, maior o valor do resistor rdson;
9. No processo de fabricação aparece um diodo em anti-paralelo com o transistor que apresenta um tempo de recuperação elevado;
Prof. Porfírio Cabaleiro Cortizo

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Transistor Mosfet – Características principais
O parâmetro mais importante do MosFet é a resistencia do canal
RDSon. Este parâmetro esta relacionado com a tensão de ruptura e a capacidade de corrente do transistor.
VDS

RDSon

ID

RDSon

Quanto menor a resistência, melhor o transistor

D
O diodo intrínseco é lento.
Ele pode ser eliminado com dois diodos externos

G
S

Prof. Porfírio Cabaleiro Cortizo

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Transistor Mosfet – Características principais
D

Cgd
Cds

VDS

Os catálogos dos fabricantes fornecem os valores de Ciss, Crss e Coss.

G
S

VGS

Efeito Miller

Ao carregar o capacitor de “Gate” ocorre uma alteração da impedância do capacitor Ciss, devido a Crss.

VGS
Forma de onda da tensão VGS
Prof. Porfírio Cabaleiro Cortizo

QGD

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Transistor Mosfet – Características principais
O transistor MosFet conduz se for aplicada uma tensão VGS > VTH e cessa a condução se VGS < VTH

Threshold voltage: VTH

Valores típicos de VTH : 3 a 5 V

Existe um valor máximo de tensão VGS que pode ser aplicada ao