CIRCUITOS PROVA 1

SILÍCIO:ELETRONICA MODRNA BASEADA EM SEMICONDUTORES DE SILÍCIO (2º MAIS ABUNDANTE NO PLANETA(OBTIDO ATRAVES DA PURIFICAÇÃO DA SÍLICA), É UM CRISTAL PURO COM PROPRIEDADES FISICAS DISTINTAS, COMO ALTO PONTO DE FUSÃO E DUREZA.OS 4 ELETRONS COMPARTILHAM ENERGIA FORMANDO PARES NA REDE CRISTALINA, POSSIBILITANDO OBTENÇAO DE CORTES NO MATERIAL CONTROLADOR ALEM DE POUQUISSIMOS DEFEITOS EM SUA REDE CRISTALINA. APRESENTA COEFICIENTE DE TEMPERATURA NEGATIVO(TEM. MAIOR-RESIST.MENOR). NO DIODO AS CARACTERISTICAS IxV SE ALTERAM COM A TEMPERATURA. NO GRÁFICO IxV A CORRENTE AUMENTA E TENSÃO DE RUPTURA DIMINUI. SE ESFRIAR DIODO A FUGA DIMINUI E SE T AUMENTA A RESISTENCIA DIMUNUI E A QUEDA DE TENSÃO DIMINUI PROPORCIONALMENTE NELE. MATERIAIS USADOS PARA DOPAGEM DO SILÍCIO SÃO BIRAFÓRICO(PEGA FOGO EM CONTATO COM O AR- PRECISA DE SISTEMA DE PROTEÇÃO ESPETACULAR. A FABRICAÇÃO DE CONDUTORES SÃO DEPENDENTES DE PROCESSOS QUIMICOS EM TEMPERATURA AMBIENTE E ALTA(1000ºC).
NO SILICIO TIPO N, OS PORTADORES DE CARGAS MAJORITÁRIOS SÃO OS ELETRONS, E NO TIPO P AS LACUNAS(PORTADORES DE CARGA TÃO EFETIVOS QUANTO OS ELETRONS).
DOPAGEM DO SI: MATERIAIS GERALMENTE SÃO NEUTROS MAS PODE SER MODIFICADO, ALTERANDO SUA CARGA TORNANDO-O ELETRICAMENTE POSITIVO OU NEGATIVO POR MEIO DE DIFUSAO GASOSA OU IMPLANTAÇÃO IONICA. SEMICONDUTOR TIPO N: ATRAVES DE DIFUSÃO POR GÁS VEÍCULO(ARGONICO) TRANSPORTANDO ATOMOS DE FOSFORO QUE SE DEPOSITAM SOBRE O CRISTAL DE Si. O FOSFORO É PENTAVALENTE, SE CONTROLARMOS A QUANTIDADE DE ATOMOS DOPANTES ADICIONADOS NO SI ORIGINAL SOBRARAO ELETRONS LIVRES (CARGA NEGATIVA), CONTROLANDO A POLARIDADE E DOPANTES A RESISTIVIDADE DO SI. SEMICONDUTOR TIPO P: DIFUSÃO DE ATOMO DE BORO REALIZADO NO SI.O BORO É TRIVALENTE,LOGO NÃO SERA COMPLETADA UMA LIGAÇÃO COVALENTE. LOGO,A DOPAGEM COM O BORO ORIGINA SEMICONDUTOR TIPO P.
DIODO: SEMICONDUTOR+BASICO. O DIODO É ENCAPSULADO PARA DAR RESISTENCIA MECANICA E NÃO DEIXAR ENTRAR LUZ.ELE SÓ CONDUZ CORRENTE ELÉTRICA QUANDO O ANODO FOI MAIS POSITIVO QUE