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Os elétrons livres podem fluir da fonte para o dreno através do material n. A região p (substrato) cria um estreitamento para a passagem dos elétrons livres da fonte ao dreno. A fina camada de dióxido de Silício (S1O2), que é isolante, impede a passagem de corrente da porta para o material n.

2.4. MOSFET DO TIPO INTENSIFICAÇÃO

O MOSFET de modo crescimento ou intensificação é uma evolução do MOSFET de modo depleção e de uso generalizado na indústria eletrônica em especial nos circuitos digitais.

O substrato estende-se por todo caminho até o dióxido de silício. Não existe mais um canal n ligando a fonte e o dreno. Quando a tensão da porta é zero, a alimentação força a ida dos elétrons livres da fonte para o dreno, mas o substrato p tem apenas uns poucos elétrons livres produzidos termicamente. Então, quando a tensão da porta é zero, o MOSFET fica em estado desligado (Off), o que ocorre diferentemente nos dispositivos JFET e MOSFET de modo depleção.

Quando a porta é positiva, ela atrai elétrons livres na região p. Os elétrons livres recombinam-se com as lacunas na região próxima ao dióxido de silício. Quando a tensão é suficientemente positiva, todas as lacunas encostadas a dióxido de silício são preenchidas e elétrons livres começam a fluir da fonte para o dreno.

2.4.1. FUNCIONAMENTO

O VGS (Tensão Porta-Fonte) mínimo que cria a camada de inversão tipo n é chamado tensão de limiar, simbolizado por VGS(th). Quando VGS é menor que VGS(th), a corrente de dreno é zero. Mas quando VGS é maior VGS(th), uma camada de inversão tipo n conecta a fonte ao dreno e a corrente de dreno é alta. VGS(th) pode variar de menos de 1,0V até mais de 5V dependendo do MOSFET.

CURVAS ID x VDS(TENSÃO FONTE-DRENO) E ID x VGSDO MOSFET DE TIPO INTENSIFICAÇÃO.

Percebemos no seguinte gráfico (ID x VDS) que a curva mais baixa é a de VGS(th). Quando VGS é menos que VGS(th), a corrente de dreno é aproximadamente zero. Quando VGS é maior que VGS(th), o dispositivo